集成电路中的物理问题讲座 第一讲 硅中微缺陷及其形成过程

随着半导体硅器件技术的不断进步,对晶体材料的完整性的要求越来越高.五十年代末观察到位错会引起p-n结的软击穿,因此发展了无位错硅单晶的生长技术.所谓宏观无位错晶体,通常是指用择尤化学腐蚀看不到位错蚀坑,或在X射线形貌照片上看不到位错衬度,并不是指没有缺陷的完美晶体.正如Sirtl所说,从半导体级硅技术开始发展时起,晶体缺陷问题就是有关专家的永久伴侣.当晶体中无位错时,由于很难消除晶体生长时产生的点缺陷(自填隙原子和空位),因此在晶体冷却下来后,这些点缺陷会因过饱和而凝聚,形成尺度较宏观位错小得多的缺陷(一般在微米或亚微米…     

直拉硅单晶中的氧沉淀

目前世界上硅单晶材料中,９０％是用直拉（ＣＺ）方法生长的．在这种方法中,固相的石英坩埚与熔融的硅经历下列反应：Ｓｉ＋ＳｉＯ２→２ＳｉＯ（Ｉ）虽然在一般晶体生长温度（～１４２０℃）下,ＳｉＯ是挥发的,但是仍然会有相当多的氧保留在熔硅里,并通过固液界面进入晶体．通常的ＣＺ硅中含有～１０１８／ｃｍ３的氧（较ＦＺ硅高１－２数量级）．作为硅中的杂质,如果说碳的作用是在晶体生长阶段有助于微缺陷的形成,那?...     

沸石分子筛中半导体量子纳米团簇的组装及应用前景

在沸石分子筛中可以形成稳定的、分子尺寸的半导体团簇。这类团簇具有单相性、均匀性好的特点，并可形成三维量子超晶格结构。本文简单介绍沸石分子筛的结构及反应性之后，对团簇的组装技术及表征方法进行了详细的讨论，对半导体团簇的特征、性质反应用前景进行了较系统的论述。并指出了这类团簇材料应用存在的问题及发展方向。