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专业分类
物理学
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1990年
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1
1.
MeV高能B
+
离子注入Si中二次缺陷的抑制与消除
下载免费PDF全文
卢武星
钱亚宏
田人和
王忠烈
《物理学报》
1990,39(2):254-260
本文研究了MeV高能B
+
离子注入Si中二次缺陷的退火行为。提出一种新型的双重注入退火方法,抑制或消除了MeV高能B
+
离子注入Si样品中的二次缺陷。还对这种二次缺陷的被抑制与被消除的物理机制进行了讨论。
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