半导体激光偏振特性与模式竞争的实验分析

本文叙述了对称型GaAs-GaAlAsP双异质结激光器偏振特性的实验研究,分析了这种半导体激光器的模式竞争过程。实验证明。半导体激光器外加电流低于阈值时,只有自发辐射,不呈现光的偏振特性;高于阈值时,对于d=0.15～0.40μ的有源层激光器,通常只有基摸振荡,而且TE模起支配作用,偏振的选择取决于模的谐振腔镜面反射率R_0,而TM模在阈值时就达到饱和,高于阈值的电流都用于加强TE模偏振。当有源层厚度d>0.40μ时,会出现TE模和TM模、基次模和高次模之间的竞争,TE模的增强会导致TM模的削弱,或TE模的减弱提供TM模的增强。在这种情况下,偏振的选择要由光的限制因子Г和镜面反射率R_m一起决定,TE、TM模和基模、高次模都有可能出现。此外,偏振特性的好坏还与激光器有源层内部晶体缺陷、非均匀性结晶和注入载流子的分配比密切相关.     

光纤通信用的发光管非线性P-I特性分析研究

本文综合分析了作者从制造光纤通信用的GaAs-GaAlAs发光二极管(LED)到应用这些LED制作端机系统所遇到的P-I非线性特性。文中深入地讨论了P-I非线性特性产生的原因及它对光信号失真的影响,并提出了解决办法。     

特性异常的发光管的分析研究

介绍了二类不同结构的(表面和侧面发射型)红外发光二极管.研究和分析了它们在低频大电流脉冲注入下的Pp—Ip特性和直流注入下的光谱特性.结果表明:正常情况下,器件具有线性的Pp—Ip特性,直流注入下的发射光谱具有高斯分布形状,对于Burrus表面发射型器件,在0—3A的峰值脉冲电流注入下,部分器件具有的异常Pp—Ip特性:线性-亚线性-超线性区.在20—100mA的直流电流注入下,部分器件的发射光谱具有多峰状.     

异质结

晶体管的发明,使电子技术产生了伟大的变革,而晶体管的核心是半导体p-n结,即同质结. 近年来,一种叫做异质结的半导体结构要],在半导体激光器、发光器件、太阳电池、光电接收器件、晶体管和集成光路等科学技术领域内别开生面,显示了它的优越性. 一、基本物理概念1.什么是异质结