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用不同通量的13 MeV 质子束照射了 Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O 超导薄膜,引起了电阻率ρ、T_c、T_(offset)(超导电阻完全转变的温度)和转变宽度△T_c 的明显变化.在照射通量≤2.8 ×10~(15)H~+/cm~2下,T_c 和 △T_c 没有变化,而ρ随通量的增加而超线性地增加,在通量为1.3×10~(17)H~+/cm~2时,T_(offset)和 △T_c 发生急剧的变化,这意味着超导晶粒间的相耦合被完全破坏了.被最大照射通量2.5×10~(17)H+/cm~2照射过的薄膜经室温退火后,T_(offset)和△T_c,几乎完全恢复了,但ρ仍然没有变化. 相似文献
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在1×10~(-5)托普通高真空系统中用电子枪蒸发源在150℃以上的微晶玻璃和熔融石英底板上淀积得到了钒膜。俄歇谱分析表明钒膜含有较多量的氧和碳,在钒膜内部氧峰远远低于表面。对钒膜的超导转变温度作了测量,Tc的最高值为4.35K。超导转变温度Tc正比于薄膜电阻比(ρ_(300)—ρ_r)/ρ_(300)。本文强调指出:欲制取Tc高于4K的钒膜有两个重要的因素,即使蒸发淀积时真空度仅为1×10~(-5)托,一是保持较高的底板温度,二是在薄膜淀积前作多次预蒸发,以降低真空室中剩余气体氧的分压。 相似文献
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