硫烷化学

硫烷是一类具有三中心四电子过价键的化合物，它即可以作为特殊的反应试剂，又是有机反应的重要中间体。本文对其结构，合成，性质及其应用作一简单综述。     

数学解题应重视隐含条件的挖掘

数学解题应重视隐含条件的挖掘江苏省东台市中学邹锦程所谓隐含条件，是指在数学问题中，除了直接给出的已知条件外，还没直接给出，需要人们去发掘的条件。这种条件一般隐含在定义、定理、公式、法则、图形之中，含而不露，容易被忽视，因而造成解题错误。下面就几个方面...     

α-羰基硫代甲酰胺与溴的反应研究

报道了α 羰基硫代甲酰胺与溴在三乙胺存在下的反应 ,合成了二 [( 1 芳基亚胺基 1 苯甲酰基 )甲基 ]二硫醚类化合物 ,产率为 60 %～ 65 %.它们的结构经元素分析、红外光谱、核磁共振光谱和质谱分析得到确证     

乙酰基硫代甲酰芳胺合成二氢吡嗪的研究

报道了一种合成乙酰基硫代甲酰芳胺的方法. 合成的乙酰基硫代甲酰芳胺与1,2-乙二胺缩合生成5-(4'-取代苯胺基)-6-甲基-2,3-二氢吡嗪类杂环化合物.     

基于四水听器的充水弹性管声速测量方法*

实验室中水声材料声学参数的测量主要在水声声管中进行。管内平面波声速是正确测量这些参数的基础。该文提出一种基于四水听器结合不同边界的测量充水弹性管中声速的新方法。该方法利用4个固定位置处的水听器,采用最小二乘的方法,使得两组水听器分别得到的声管末端入射波声压差值的平方最小的声速即为管内平面波声速。该方法利用单频信号,在每一频率点均可测得声速,可以在任一种声管末端边界下进行测量,同时无需知道各水听器到边界的精确距离,在文中的3种边界下声速测量结果具有很好的一致性,实验操作简单、误差很小。该方法的仿真结果与管内声速的理论值吻合得很好,同时实验测量结果与仿真值之间的误差很小,证明了方法的准确性以及鲁棒性,为声管声速测量提供一个很好的思路。     

CT联合高分辨率盆腔MRI扫描对结直肠癌的诊断价值

为探究CT联合高分辨率盆腔MRI扫描对结直肠癌的诊断价值,选取疑似结直肠癌患者179例纳入本研究,均行CT和盆腔MRI检测,对比观察患者T分期、阴性预测值、阳性预测值及诊断效能.结果 发现,CT检测T分期准确率为92.11％,CT+高分辨率盆腔MRI扫描检测T分期准确率为98.68％;与CT检测相比,CT+高分辨率盆腔...     

凹槽叶顶冷气射流对涡轮叶尖泄漏流动的影响

涡轮叶尖泄漏流动对涡轮通道内流动损失有着显著影响,叶顶冷气射流对控制叶尖泄漏流动和改善涡轮叶尖气热性能有重要意义.本文利用数值模拟方法,研究了叶顶冷气喷射位置和喷射流量对高压涡轮凹槽叶顶间隙泄漏流动控制的影响.文中重点分析了泄漏流动结构及涡轮气动效率的变化,探讨了冷气对刮削涡这一间隙内主控流动结构演化的影响.研究表明,...     

Bias dependence of a deep submicron NMOSFET response to total dose irradiation

Deep submicron n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (NMOSFETs) with shallow trench isolation (STI) are exposed to ionizing dose radiation under different bias conditions.The total ionizing dose radiation induced subthreshold leakage current increase and the hump effect under four different irradiation bias conditions including the worst case (ON bias) for the transistors are discussed.The high electric fields at the corners are partly responsible for the subthreshold hump effect.Charge trapped in the isolation oxide,particularly at the Si/SiO 2 interface along the sidewalls of the trench oxide creates a leakage path,which becomes a dominant contributor to the offstate drain-to-source leakage current in the NMOSFET.Non-uniform charge distribution is introduced into a threedimensional (3D) simulation.Good agreement between experimental and simulation results is demonstrated.We find that the electric field distribution along with the STI sidewall is important for the radiation effect under different bias conditions.