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专业分类

物理学

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出版年

2006年

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小尺寸MOSFET隧穿电流解析模型 总被引：1，自引：0，他引：1

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陈卫兵徐静平邹晓李艳萍许胜国胡致富《物理学报》2006,55(10):5036-5040

基于表面势解析模型，通过将多子带等效为单子带，建立了耗尽/反型状态下小尺寸MOSFET直接隧穿栅电流解析模型.模拟结果与自洽解及实验结果均符合较好，表明此模型不仅可用于SiO₂、也可用于高介电常数(k)材料作为栅介质以及叠层栅介质结构MOSFET栅极漏电特性的模拟分析，计算时间较自洽解方法大大缩短，适用于MOS器件电路模拟. 关键词：隧穿电流 MOSFET 量子机理解析模型相似文献