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采用光刻蚀和Ar离子刻蚀技术成功地在Bi-2212单晶表面制备出台阶型本征Josephson单个结,并在5-65K范围内用四引线法测量了该结零场下的Ⅰ~Ⅴ特征曲线.结果表明,临界电流几乎保持不变,但返回电流随温度增加而增大;与此同时,Mccumber参数βc随着温度增加而减小.临界温度附近,跳跃电压△V明显偏离BCS理论. 相似文献
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我们采用直流四引线法对银包套的Bi2-xPbxSr2Ca2Cu3Oy,(Ag-Bi2223)带材进行了临界电流的测量研究了外加磁场和电流扫描速度对临界电流的影响结果表明,电流扫描速度和磁场增加使临界电流减小,并且磁场增加使V-I曲线对加电流速度的敏感程度发生变化利用电动力学方程和磁通玻璃态蠕动机制对实验结果进行了解释,将磁场、温度、磁通钉扎强度对约化临界电流的影响归结成单一的临界电流参数n的影响,和实验结果符合得比较满意.1引言 临界电流密度Jc是表征技术应用超导材料性能的主要参量之一,也是表征… 相似文献
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