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共轴均匀带电薄圆盘间的相互作用力 总被引:3,自引:0,他引:3
本文利用静电场的高斯定律和环路定律巧妙地求出了均匀带电圆盘在空间任一点所产生的电场 ,进而计算出了共轴均匀带电薄圆盘之间的相互作用力 相似文献
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本文通过基于密度泛函理论的第一性原理,研究了纤锌矿结构Al1-xInxN在不同In浓度下的稳固结构,以及电子和光学性质的变化规律。研究表明,AlInN不同In浓度的晶格结构都很稳定,说明AlInN的兼容性很好。晶格常数随In浓度的增大不断增大,而混晶的带隙则不断减小。并且随In浓度的增大,混晶在紫外光区的吸收系数、反射系数及折射率增大,吸收边、吸收峰和反射峰蓝移,且这两个峰的峰值减小。AlInN的吸收、反射和折射率曲线在Eg处出现峰值行为,此Eg处的峰值大小随In浓度的增加而增大。当In浓度达到87.5%时,混晶AlInN在紫外光区的吸收、反射和折射能力均达到最强,表明此时的掺杂效果最好。 相似文献
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利用密度泛函理论,对Rh_(13)团簇的几何结构、电子和磁性性质进行了研究,在优化过程中,其几何结构由正二十面体演化为变形的非对称结构,相邻原子间由等键长变为不等键长.优化后Rh_(13)团簇的结合能比前面的其他研究者所得的结果大得多,这表明变形后的非对称结构比对称的正二十面体结构更为稳定.虽然我们得到的原子平均磁矩较之前面的研究者的结果小了一些,但是仍然比实验结果大,这一情况说明我们所得到的变形的非对称几何结构与真实的未知基态结构仍还有差异.同时我们还发现优化后的Rh_(13)团簇的价带宽度和交换劈裂都有一定程度的展宽和变大,态密度的峰值有远离费米能级向两侧移动的趋势. 相似文献
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本文通过基于密度泛函理论的第一性原理,研究了纤锌矿结构Al1-xInxN在不同In浓度下的稳固结构,以及电子和光学性质的变化规律。研究表明,AlInN不同In浓度的晶格结构都很稳定,说明AlInN的兼容性很好。晶格常数随In浓度的增大不断增大,而混晶的带隙则不断减小。并且随In浓度的增大,混晶在紫外光区的吸收系数、反射系数及折射率增大,吸收边、吸收峰和反射峰蓝移,且这两个峰的峰值减小。AlInN的吸收、反射和折射率曲线在Eg处出现峰值行为,此Eg处的峰值大小随In浓度的增加而增大。当In浓度达到87.5%时,混晶AlInN在紫外光区的吸收、反射和折射能力均达到最强,表明此时的掺杂效果最好。 相似文献
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本文通过对载流导体附近运动电荷受力的再讨论,直观地展现了电场与磁场的相对性与整体性. 相似文献
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利用场的轴对称性,巧妙联合运用麦克斯韦方程组,以轴线上的场为初值,通过反复迭代的方法,获得了变速旋转的均匀带电薄圆盘空间电磁场的无穷级数表达式。 相似文献
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根据磷酸根离子的对称结构、特征标表和不可约表示,首先对磷酸根离子的振动模式进行了分析.然后,根据拉曼光谱的选择定则,对磷酸根离子的拉曼活性进行了讨论.接着,通过磷酸根离子的G矩阵和F矩阵,求解其简正振动的久期方程,得到了磷酸根离子的拉曼光谱频移.最后,利用基于密度泛函理论的Demol程序包对磷酸根离子进行了模拟计算,并将获得的磷酸根离子拉曼光谱频移与前面分析得到的结果进行了比较,吻合得较好. 相似文献
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从教材中一个常见例题的结论出发,首先导出了载流直导线磁场的x、y、z分量表达式.然后,利用这一表达式,采取分段计算然后叠加的方法,对任意形状的四边形载流线圈的磁场进行了计算,并对矩形线圈和方形线圈的特殊情况进行了讨论. 相似文献
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方形载流线圈的空间磁场计算 总被引:7,自引:0,他引:7
利用教材中一个常见例题的结论,将方形载流线圈视为四段载流导线,采取分段计算然后叠加的方法,导出了方形载流线圈空间磁场分布的普遍表达式,并讨论了线圈平面上的磁场分布情况. 相似文献
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核电磁脉冲和高功率微波等强电磁脉冲易造成电子设备功能失效甚至损毁,在实际工程实施中用金属腔体对电子设备进行屏蔽是常用的强电磁脉冲抑制手段。基于电磁仿真计算,对含矩形孔缝金属腔体的强电磁脉冲耦合特性进行了系统研究,阐述了孔缝宽长比、腔体尺寸等因素对多种不同类型强电磁脉冲(核电磁脉冲、宽带高功率微波、窄带高功率微波)作用下腔体内耦合场的影响;并以此为基础,重点分析了强电磁脉冲与含孔缝金属腔体之间的作用机制。研究结果表明:不同类型强电磁脉冲耦合信号差异明显,金属腔体对强电磁脉冲的响应是腔体谐振模式、孔缝谐振频率与强电磁脉冲共同作用的结果;当腔体谐振模式、孔缝谐振频率在强电磁脉冲的带内时,腔体内部的耦合场会出现增强效应;特别地,腔体与孔缝间的相互作用还可造成腔体与缝隙的谐振频率发生偏移。因此,在为电子设备设计金属屏蔽外壳时,应基于不同强电磁脉冲的频带范围,对腔体与孔缝的尺寸进行综合设计,抑制腔体、孔缝谐振及谐振频率偏移,提升其强电磁脉冲防护性能。 相似文献