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CdS—CdSe烧结膜具有显著的光敏特性。氧气在这种多晶薄膜上的吸附提高了薄膜中晶粒间的界现势垒,并改变了晶粒中的载流子浓度.表现在薄膜的电导率和电子迁移率随着氧气的吸附而下降.这种薄膜在空气中,50℃下经过30min的退火处理,晶粒间的界面势垒可提高约14meV,薄膜在氮气中的退火处理使界面势垒有所下降。 相似文献
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空气中的氧在CdS-CdSe烧结膜中晶粒表面上的吸附,使晶粒的表面态发生变化,影响了晶粒中载流子的表面复合率.直流光电导衰退法测量结果表明.氧的吸附增大了CdS-CdSe薄膜中载流子的表面复合率,从而使少数载流子的有效寿命下降. 相似文献
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邓容平 《新疆大学学报(理工版)》1992,(1)
本文提出一个用于计算GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs调制掺杂异顺结中准二维电于气体的能级的势能分析模型,该模型的计算结果与自洽计算结果相符合,并且电子的波函数以及电子的势能可以用简单的解析式表示出来,应用该模型计算电子能级是一种简便可行的方法。 相似文献
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