静压下半导体微腔内激子与光子行为的研究

由于腔模与激子对压力的依赖关系不同,所以可以选择不同的压力使激子和光场处于不同的耦合状态,从而实现对耦合的调谐。利用这种办法,我们观测到了代表激子与光场强耦合作用的Rabi分裂。由于在我们现有样品结构中压力对激子本征行为的影响很小,与以前报道的温度、电场等调谐方式相比,这种调谐方法不仅可以有效地调谐半导体微腔内激子与腔模的耦合程度,而且能够保持激子的本征性质在整个调谐过程中基本不变。这有助于研究在强耦合过程中激子极化激元的本征性质。将实验结果与压力下激子与腔模耦合理论进行拟合,得出了正确的Rabi分裂值。     

非共振激发条件下微腔中激子自发辐射的时间分辨光谱

低温下,测量了InGaAs量子阱平面微腔的时间分辨光谱。在非共振激发条件下,观察到上下两支腔极化激元光荧光的衰退时间与失谐无关;下支腔极化激元光荧光的上升时间也与失谐无关;而上支腔极化激元光荧光的上升时间却与失谐有强烈的依赖关系,随着从负失谐到正失谐的增加,上升时间逐渐减小。对实验结果的物理根源进行了讨论。