球形汞膜电极倒导数恒电流溶出分析法研究

本文推导并验证了球形汞膜电极倒导数恒电流溶出分析法理论。确定其理论的应用条件为汞膜厚度不超过4.6×10~(-4)cm,探讨了噪音对灵敏度的影响。     

钨和钽电极材料对Lu2O3薄膜基阻变存储器的影响机制研究

采用脉冲激光沉积技术在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上沉积了非晶Lu2O3薄膜,制作了W和Ta作为顶电极的W/Lu2O3/Pt和Ta/Lu2O3/Pt堆栈结构器件,并运用Keithely4200-SCS测试平台分析了其电阻转变特性。在对器件加载电压后,Ta/Lu2O3/Pt器件未表现出阻变存储特性,然而W/Lu2O3/Pt表现出良好的双极性电阻转变特性,其高低阻态比大于103。经过大于1×104s的读电压,高低阻态的电阻值没有发生明显的变化,表现出良好的数据保持能力。通过对高低阻态的电流电压关系、电阻值与器件面积的关系和电阻值与温度的关系的研究,分析认为导电细丝的形成和破灭机制是导致W/Lu2O3/Pt器件发生电阻转变现象的主要原因。     

锑化物Ⅱ类超晶格材料外延生长、结构及光学特性研究进展

近年来,锑化物Ⅱ类超晶格材料在外延生长和发光性质等方面的研究取得了巨大的进步,为获得高性能中红外波段光电子器件奠定了重要的基础.然而,由于传统的InAs/GaSb体系超晶格材料中内部本征Ga原子缺陷的存在,使得InAs/GaSb材料的少子寿命过短,严重影响了光电子器件性能的提升,因此设计并生长具有长少子寿命的新材料体系...