微型计算机在微弱光谱测试系统中的应用

本文报道了在我们研制的微弱光谱测试系统中微计算机的应用,介绍了数据采集、双机间的DMA传送数据、二维光栅扫描控制、应用微机改善信噪比、应用软件和图形显示等问题。着重讨论如何通过我们所做的研制工作,使性能较低的EG3003微计算机达到OMA系统所要求的水平。     

集成光学声光频谱分析器的制作技术

本文给出了集成光学声光频谱分析器的基本结构与工作原理.给出了集成光学芯片上各种集成光学元件和导波声光调制器的制作技术,并给出了组装一体化样机的结构工艺要点.     

含磷钼酸及2,2’-联吡啶-3,3’-二羧酸配体的铜配位聚合物的合成、晶体结构与电化学性质

在水热条件下合成了一个新的化合物{[Cu4(PMo12O40)(H2O)5(H2bpdc)(Hbpdc)(bpdc)2].6H2O}n(H2bpdc=2,2′-联吡啶-3,3′-二羧酸),并用元素分析、IR、TG和X-射线衍射等手段进行了表征。结果表明本化合物的晶体结构中,最小不对称单元包含1个[Cu4(H2O)5(H2bpdc)(Hbpdc)(bpdc)2]3+阳离子,1个[PMo12O40]3-阴离子和6个结晶水分子。Cu(Ⅱ)与相邻[PMo12O40]3-的桥氧原子配位,形成一维链状结构。电化学研究表明,化合物存在三步氧化还原过程。     

微通道板碘化铯膜层抗潮解超薄保护膜层北大核心CSCD

碘化铯膜层对紫外光以及X射线具有很高的光电转换效率,但在空气中容易发生潮解。介绍了微通道板碘化铯膜层抗潮解超薄保护膜层的制备与保护效果。使用扫描式电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)对碘化铯薄膜光阴极微通道板的镀膜深度和厚度进行测试,采用氧化铝作为碘化铯薄膜光阴极的保护膜层,并分别制备了厚度为2 nm、5 nm和10 nm的氧化铝保护膜层。在空气中存放不同时间后,碘化铯薄膜光阴极微通道板表面未发生明显潮解变化,其增益约为8800,暗计数率约为4.1 counts·s^(−1)·cm^(−2)。试验证明,氧化铝能够作为微通道板碘化铯膜层抗潮解超薄保护膜层。     

多层准光波导漏模的观测

本文提出了一种新的测量多层光学薄膜参数的方法。利用玻璃载物片夹一层水再夹一层酒精构成了含有两层准光波导薄膜的多层薄膜结构。观察并测量了这两层准光波导的m线,得到了薄膜的光学参数。薄膜折射率的测量误差为±1×10~(-3),薄膜厚度的测量误差为±0.1μm。     

含磷钼酸及2,2’-联吡啶-3,3’-二羧酸配体的铜配位聚合物的合成、晶体结构与电化学性质

在水热条件下合成了一个新的化合物{[Cu₄(PMo₁₂O₄₀)(H₂O)₅(H₂bpdc)(Hbpdc)(bpdc)₂]·6H₂O}_n(H₂bpdc=2, 2’-联吡啶-3, 3’-二羧酸), 并用元素分析、IR、TG和X-射线衍射等手段进行了表征。结果表明本化合物的晶体结构中, 最小不对称单元包含1个 [Cu₄(H₂O)₅(H₂bpdc)(Hbpdc)(bpdc)₂]³⁺阳离子, 1个[PMo₁₂O₄₀]^3-阴离子和6个结晶水分子。Cu(Ⅱ)与相邻[PMo₁₂O₄₀]^3-的桥氧原子配位, 形成一维链状结构。电化学研究表明, 化合物存在三步氧化还原过程。     

Influence of input electrode of micro-channel plate on opening area ratio and its improvement北大核心CSCD

微通道板作为一种关键的电子倍增器件,广泛应用于诸多领域。分析了NiCr膜层作为微通道板的输入端电极时,对微通道板开口面积比的影响,建立了理论模型,计算了膜层厚度、镀膜深度等参数对开口面积比的影响。开展了2种减小开口面积比损失的镀膜研究:一是进行工艺调整,减弱合金蒸发的分馏效应,降低电极膜层的电阻率,开口面积比损失量降低约2%;二是改变镀膜方式,使用Ni、Cr金属单质镀制叠层薄膜,在镀膜过程中调控镍、铬的比例,将输入端电极中镍比例升高,同样可以降低电极膜层的电阻率,在满足面电阻要求的前提下,可减薄输入端膜层至86 nm,与300 nm厚度的常规镍铬合金膜层相比,MCP输入端的开口面积比损失量降低3%~4%,MCP增益提升6%。     

铜-有机多酸配合物[CuⅠ(2,2'-bipy)2]{[CuⅡ(2,2'-bipy)2]2(BW12O40)}·4H2O 的原位合成、晶体结构与表征

在水热条件下,K5BW12O4·nH2O,CuSO4·5H2O,2,2'-联吡啶-3,3'-二羧酸在水溶液中进行原位反应,得到一维链状化合物[CuⅠ(2,2'-bipy)2]{[CuⅡ(2,2'-bipy)2]2(BW12O40)}·4H2O,并对其进行了元素分析,IR,TG,CV和单晶X射线衍射表征.结果表明,化合物属于单斜晶系,P21/n空间群,晶胞参数a=1.88365(14)nm,b=2.04178(15)nm,c=2.16724(16)nm,α=90°,β=96.6720(10)°,γ=90°,V=8.2786(11)nm3,Z=4,Dc=3.255 g/cm3,R1=0.0575,wR2=0.1073.化合物分子结构单元由1个铜-有机多酸阴离子{[CuⅡ(2,2'-bipy)2]2(BW12O40)}-,1个配位阳离子[CuⅠ(2,2'-bipy)2]+,4个结晶水分子构成.化合物分子通过氧键和π-π堆积作用形成二维超分子体系.电化学研究表明,化合物存在三步氧化还原过程.     

Thermal stability of tungsten and tungsten nitride Schottky contacts to AlGaN/GaN

Thin tungsten nitride (WNx) films were produced by reactive DC magnetron sputtering of tungsten in an Ar-N2 gas mixture. The films were used as Schottky contacts on AlGaN/GaN heterostructures. The Schottky behaviours of WNx contact was investigated under various annealing conditions by current-voltage (I-V ) measurements. The results show that the gate leakage current was reduced to 10-6 A/cm2 when the N2 flow is 400 mL/min. The results also show that the WNx contact improved the thermal stability of Schottky contacts. Finally, the current transport mechanism in WNx/AlGaN/GaN Schottky diodes has been investigated by means of I-V characterisation technique at various temperatures between 300 K and 523 K. A TE model with a Gaussian distribution of Schottky barrier heights (SBHs) is thought to be responsible for the electrical behaviour at temperatures lower than 523 K.