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采用水热法成功制备了MoS2/WO3复合半导体光催化剂,分别通过SEM、TEM、EDS、XRD、Raman和DRS对催化剂的形貌,组成及结构进行表征,并用BET模型计算比表面积。对比发现球状MoS2/WO3对罗丹明B(RhB)的光降解效率明显高于纯WO3、片状MoS2/WO3复合半导体。针对球状MoS2/WO3复合半导体,分别研究了MoS2不同负载量(0.5%,1%,2%,5%,10%)对RhB光催化降解性能的影响,结果表明MoS2含量为2%时催化效果最佳。同时,研究了溶液的pH值(pH=1,3,6,7,11)对光催化降解反应活性的影响,结果显示pH=6时降解率最高。当催化剂量增加到1 g·L-1时,30min后RhB降解率达到96.6%。球状MoS2/WO3的瞬态光电流为0.050 6 mA·cm-2,比纯WO3提高了2.4倍。经过5次循环实验,球状MoS2/WO3复合半导体催化剂仍能保持90%的高降解率。 相似文献
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巨豆三烯酮的合成及表征 总被引:3,自引:0,他引:3
采用这种合成方法的优点是原料易得,反应条件温和,操作比较简单,主要步骤产率较高,是合成目标产物的一种新方法,国内外未见文献报道。根据拟定的合成路线,通过实验对各步反应进行了研究,部分中间体经过折光率、红外(IR)、核磁共振(HNMR)、质谱(MS)等分析确定了其结构。实验证明该合成方法简单可行,目标产物的产率达24.3%,具有一定的继续研究开发价值。 相似文献
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微波消解/ICP-AES法测定污水处理厂污泥中的重金属 总被引:2,自引:0,他引:2
采用微波消解/电感耦合等离子发射光谱法(ICP-AES)测定了城市污水处理厂污泥中Cd、Cr、Cu、Mn、Mo、Ni、Pb、Zn等8种重金属元素,并优化了ICP仪器工作参数及微波消解条件.方法的检出限为0.001~0.01mg/L.相对标准偏差为2.0%~9.2%(n=7),回收率为85.3%~105.0%. 相似文献
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利用斜光刻技术替代传统的直光刻技术在相同底面积的基础上增大微阵列比表面积制备了高比表面积三维微阵列结构,.首先,利用MATLAB仿真对微阵列排布方式进行分析,确定最佳单个柱体宽度及阵列间距.实验中,采用两次甩胶法将SU-8光刻胶均匀旋涂在2寸硅基底上,甩胶转速设为1500r/min,旋涂时间设为35 s;分别置于65℃烘台上保持20 min和95℃烘台上保持70 min进行两次前烘处理;随后进行双向斜曝光,微柱宽度为20 μm,阵列间距为30 μm,光刻角度为20°.最后,再通过高低温后烘处理并显影30 min成功制备出了结构稳定的“Ⅹ”型三维微阵列结构. 相似文献
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军机DFR方法在钛合金电子束横焊缝结构上的应用验证 总被引:1,自引:0,他引:1
为在飞机结构设计阶段进行钛合金焊接件的疲劳强度评估,采用军机DFR方法进行了TC4-DT钛合金电子束横焊缝试件的疲劳分析,并对其进行了试验验证。首先,进行了TC4-DT钛合金电子束横焊缝试件的DFR基准值测试,得到DFR基准值为470MPa;其次,为了验证军机DFR方法分析结果的可靠性,进行了TC4-DT钛合金电子束横焊缝试件在随机谱下的成组疲劳试验,采用断口判读技术确定裂纹萌生寿命,得到了随机谱下的试验中值寿命;最后,利用测得的DFR基准值,采用军机DFR方法评估得到随机谱下成组试验的试验件中值寿命以及对应试验中值寿命的应力水平。对比分析结果表明:分析寿命比试验寿命低10%,分析的应力水平比试验应力水平低3%。此结果表明军机DFR方法略偏保守,与DFR方法计算结果偏保守的特征一致,也验证了军机DFR方法在TC4-DT钛合金电子束焊接件上应用的可行性。 相似文献
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以新生的氢氧化铜、2,2’-二苯基二羧酸(H2bpda)以及柔性配体l,3二(4.吡啶)丙烷(bpp)N原料,超声反应条件下,在甲醇.水混合溶剂中合成了1个新型配合物,{[cu2(bpp)2(H20)2(bpda)2].6H2O}。(1),并对该配合物进行了元素分析、红外光谱分析、热重分析、脱水/重新吸水分析以及晶体结构研究X射线单晶结构分析表明,配合物1中含有一种由类似椅式构象的六核水簇及两个水分子所组成的八核水簇.该八核水簇结构类似环脂烃(1r,4r)二甲基-环己烷,显示出水分子簇与有机分子结构上的相似性.有趣的是,该八核水簇与周围羧酸根中的氧原子通过氢键作用形成了类似于(H2O)10纯水簇的十核羧酸一水杂化簇合物.此外,该配合物具有可逆的脱水/重新吸水性能. 相似文献
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通过溶胶-凝胶法在硅基底上制备不同烧结温度(700℃、800℃、900℃)下的CaCu3 Ti4O12 (CCTO)薄膜.分别采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)对薄膜的形貌、组分和结晶状况进行表征,发现在800℃烧结温度下CCTO薄膜的结晶状况最佳.然后,采用半导体特性分析仪测试薄膜的电容-电压(C-V)特性和电流-电压(I-V)特性,得到薄膜的最大比电容和阈值电压分别为3.2.F/cm2和47 V.最后,使用台阶仪对两种浓度的先驱溶液在不同转速下所制备的薄膜厚度进行了研究. 相似文献
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La掺杂TiO2光催化剂的制备与表征 总被引:5,自引:0,他引:5
用共沉淀法和溶胶-凝胶法制备了La掺杂TiO2光催化剂(La3 -TiO2),并以罗丹明B为模型反应物,进行了光催化降解实验.结果发现,共沉淀法制备的La3 -TiO2具有较高的光催化活性,当掺La量为1.0%、于800℃煅烧2 h时获得的催化剂活性最佳.用X射线衍射、N2吸附、扫描电镜和电子探针等手段测定了两种方法制备的典型样品的结构和粒度分布.两种方法制备的催化剂都是含有锐钛矿和金红石型TiO2的混合晶体,但共沉淀法制备的催化剂具有较高的锐钛矿含量、较大的晶粒和大孔/介孔的多级孔结构,这是其具有较高光催化活性的主要原因. 相似文献
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