石墨烯缺陷对光子晶体光吸收特性的调制

通过构造含石墨烯缺陷光子晶体结构模型(ACG^K1CB)^NCG^KC(BCG^K2CA)^M,利用传输矩阵法理论和计算机模拟仿真的方式,研究了石墨烯缺陷对光子晶体光吸收特性的调制作用。当光子晶体中引入石墨烯缺陷后,光子晶体的光吸收率增强,并出现明显的窄带吸收峰。随着周期数M或K₂增大,光子晶体的光吸收率增强,当M=6时吸收率达到96.55%,当K₂=4时吸收率达到43.30%,而且吸收峰随M增大向短波方向移动,但随K₂增大向长波方向移动。随着周期数K增大,光子晶体的光吸收率先增大到极大值后再减弱,且吸收峰向短波方向移动。随着A介质层(硅单质)厚度d_A的增大,光子晶体的光吸收率增强,当d_A=178.25 nm时吸收率达到48.54%,且吸收峰向长波方向移动;随着B、C介质层(分别为四氯化碳和砷化镓)厚度d_B、d_C增大,光子晶体的光吸收率...