抗反射膜SiN的热退火特性

本文研究了PECVD抗反射膜SiN的热退火特性。测量结果表明,经过制备GaAs透射光阴极的热压粘结工艺的热退火处理SiN薄膜的折射率增加了约0.1,薄膜厚度减少了约15%.IR透射谱分析表明,这是由于退火后膜中H的释放而引起化学键比例变化所致。此项工作为透射式GaAs光阴极抗反射膜的设计和制备提供了依据。     

玻璃与GaAs外延片热压粘结工艺研究

本文报道制备GaAs透射式光阴极过程中窗玻璃与大面积GaAs外延片热压粘结工艺的原理和过程,并重点分析抗反射膜的淀积、粘结温度控制和压力大小对粘结结果的影响。