用双晶衍射法同时测量Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs的弯曲、错配应变和x值

如在一种二元的化合物半导体(AB)晶片上外延一层三元化合物(A_1-xB_xC)薄膜,则由于衬底与薄膜的点阵参数不同,在界面附近将产生错配应变ε,甚致产生错配位错,并使晶片弯曲.这种应变有时很小,曲率半径R则往往很大,用一般的实验方法不易测量.然而,X射线双晶(或三晶)衍射方法对这类应变及弯曲却非常灵敏.根据测得的表面应变值以及平均的曲率半径,还可对组分x值进行定量计算.这些测量不但可以同时在晶片同一点处进行,而且是非破坏性的,因此有较大的实用意义.这一方法可以简称为ε-R-x技术,本文介绍用一种三晶衍射方法代替通常的双晶衍射法对…     

砷化镓中质子注入之研究

本文中,我们研究了砷化镓中质子注入及退火恢复过程。实验用晶向<100>偏1—3°,掺Sn 5×10¹⁷-1×10¹⁸cm^-3的单晶,室温下质子注入,注入能量E约8×10⁴—2×10⁶eV,用A-B腐蚀剂对注入质子样品的解理面显结,测得质子注入高阻层的纵向深度x_j和径向扩展x_L与注入能量E的定量关系。然后,对注入质子样品,在150—800℃下退火5分钟,用双晶衍射仪研究了样品的应变恢复过程,在静电计上测量了高阻阻值随退火温度的变化。根据实验结果,讨论了砷化镓中质子注入的射程R_p,电子阻止本领S_n(E)和核阻止本领S_e(E),以及质子注入形成高阻和退火恢复的机理。 关键词：