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专业分类
物理学
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2003年
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1.
氢化非晶硅薄膜中氢含量及键合模式的红外分析
总被引:10,自引:0,他引:10
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罗志
林璇英
林舜辉
余楚迎
林揆训
余云鹏
谭伟锋
《物理学报》
2003,52(1):169-174
Fourier红外透射(FTIR)谱技术是研究氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜中氢的含量(CH)及硅—氢键合模式(Si-Hn)最有效的手段.对用等离子体化学气相沉积(PCVD)方法在不同的衬底温度(Ts)下制备出的氢化非晶硅薄膜,通过红外透射光谱的基线拟合、高斯拟合分析,得到了薄膜中的氢含量,硅氢键合模式及其组分,并分析了这些参量随衬底温度变化的规律.
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