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SOI新结构——SOI研究的新方向 总被引:2,自引:0,他引:2
SOI(silicon-on-insulator:绝缘体上单晶硅薄膜)技术已取得了突破性的进展,但一般SOI结构是以SiO2作为绝缘埋层,以硅作为顶层的半导体材料,这样导致了一些不利的影响,限制了其应用范围。为解决这些问题和满足一些特殊器件/电路的要求,探索研究新的SOI结构成为SOI研究领域新的热点。如SOIM,GPSOI,GeSiOI,SionAlN,SiCOI,GeSiOI,SSOI等。文章将结合作者的部分工作,报道SOI新结构研究的新动向及其应用。 相似文献
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一种新型SOI结构——SiGe-OI材料研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
SOI(silicon on insulator,绝缘层上的硅)技术和SiGe(silicon germanium,锗硅)技术都是微电子领域的前沿技术,SiGe-OI(SiGe-on-insulator,绝缘层上的锗硅)新型材料是最近几年来才出现的一种新型SOI材料,它同时具备了SOI技术和SiGe技术的优势,因而成为当前微电子研究领域的最前沿课题之一。文章结合中国科学院上海微系统与信息技术研究所的工作,综述了SiGe-OI材料研究情况和应用前景,详细介绍了其主要的制备方法,最后报道了作才在SiGe-OI材料研究上的一些实验结果。 相似文献
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SOI新结构——SOI研究的新方向 总被引:1,自引:0,他引:1
SOI(silicon-on-insulator绝缘体上单晶硅薄膜)技术已取得了突破性的进展,但一般SOI结构是以SiO2作为绝缘埋层,以硅作为顶层的半导体材料,这样导致了一些不利的影响,限制了其应用范围.为解决这些问题和满足一些特殊器件/电路的要求,探索研究新的SOI结构成为SOI研究领域新的热点.如SOIM,GPSOI,GeSiOI,Si on AlN, SiCOI, GeSiOI,SSOI等.文章将结合作者的部分工作,报道SOI新结构研究的新动向及其应用. 相似文献
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SOI(silicononinsulator ,绝缘层上的硅 )技术和SiGe(silicongermanium ,锗硅 )技术都是微电子领域的前沿技术 .SiGe-OI(SiGe -on -insulator ,绝缘层上的锗硅 )新型材料是最近几年来才出现的一种新型SOI材料 ,它同时具备了SOI技术和SiGe技术的优势 ,因而成为当前微电子研究领域的最前沿课题之一 .文章结合中国科学院上海微系统与信息技术研究所的工作 ,综述了SiGe-OI材料研究情况和应用前景 ,详细介绍了其主要的制备方法 ,最后报道了作者在SiGe -OI材料研究上的一些实验结果 . 相似文献
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