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霍尔推进器放电通道等离子体与壁面相互作用形成鞘层,不同壁面材料的二次电子发射对推进器鞘层特性具有重要影响,本文针对推进器壁面鞘层区域建立二维物理模型,研究了氮化硼(BN)、碳化硅(SiC)和三氧化二铝(Al_2O_3)三种不同壁面材料的二次电子发射特性,在改进SiC材料二次电子发射模型的基础上,采用粒子模拟方法,讨论了壁面二次电子发射系数与电子温度和磁场强度的关系,研究了三种材料(BN,SiC和Al_2O_3)的鞘层特性,结果表明:修正的二次电子发射模型拟合曲线与实验曲线几乎一致;在相同电子温度下,三种材料(BN,SiC和Al_2O_3)的二次电子发射系数和壁面电子数密度依次增大,而鞘层电场和鞘层电势降依次减小,BN材料具有合适的二次电子发生射系数,使得霍尔推进器能在低电流下稳态工作。 相似文献
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Characteristics of wall sheath and secondary electron emission under different electron temperatures in a Hall thruster
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In this paper, a two-dimensional physical model is established in a Hall thruster sheath region to investigate the influences of the electron temperature and the propellant on the sheath potential drop and the secondary electron emission in the Hall thruster, by the particle-in-cell(PIC) method. The numerical results show that when the electron temperature is relatively low, the change of sheath potential drop is relatively large, the surface potential maintains a stable value and the stability of the sheath is good. When the electron temperature is relatively high, the surface potential maintains a persistent oscillation, and the stability of the sheath reduces. As the electron temperature increases, the secondary electron emission coefficient on the wall increases. For three kinds of propellants(Ar, Kr, and Xe), as the ion mass increases the sheath potentials and the secondary electron emission coefficients reduce in sequence. 相似文献
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采用二维粒子模拟方法研究了霍尔推进器通道中电子温度对等离子体鞘层特性的影响, 讨论了不同电子温度下电子数密度、鞘层电势、电场及二次电子发射系数的变化规律. 结果表明: 当电子温度较低时, 鞘层中电子数密度沿径向方向呈指数下降, 在近壁处达到最小值, 鞘层电势降和电场径向分量变化均较大, 壁面电势维持一稳定值不变, 鞘层稳定性好; 当电子温度较高时, 鞘层区内与鞘层边界处电子数密度基本相等, 而在近壁面窄区域内迅速增加, 壁面处达到最大值, 鞘层电势变化缓慢, 电势降和电场径向分量变化均较小, 壁面电势近似维持等幅振荡, 鞘层稳定性降低; 电子温度对电场轴向分量影响较小; 随电子温度的增大, 壁面二次电子发射系数先增大后减少.
关键词:
霍尔推进器
等离子体鞘层
电子温度
粒子模拟 相似文献
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