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这篇论文综述了美国加州大学戴维斯分校科学院院士Navrotsky课题组多年来在多孔材料上取得的一系列热化学研究结果。讨论了热化学对微孔、介孔材料的结构稳定性和合成过程的影响。借助多种测热手段对影响骨架结构的热焓、热熵和自由能进行了系统的测量和计算。研究数据表明一系列纯硅分子筛、介孔材料和磷酸铝多孔材料同相应的石英相和块磷铝矿相相比能量上最多只高出15 kJ·mol-1。一系列纯硅分子筛的熵值比石英相高出3.2—4.2 J·K-1·mol-1;在0—12.6 J·K-1·mol-1范围内相对应的自由能几乎没有差别。因此,对不同微孔、介孔材料,其骨架结构在能量上是几乎没有区别的。另外,本文通过介绍一种新型测热方法——原位测热,揭示了分子筛合成过程中的动力学和成核/结晶机理。 相似文献
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紫外光解法在制备低介电常数氧化硅分子筛薄膜中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
以正硅酸乙酯为硅源, 四丙基氢氧化铵(TPAOH)为模板剂和碱源, 采取水热晶化技术, 通过原位法在硅晶片表面制备出纯二氧化硅透明分子筛薄膜; 采用紫外光解法代替传统高温焙烧法脱除分子筛薄膜孔道内的模板剂, 制备出具有低介电常数的氧化硅分子筛薄膜. 使用FTIR、XRD和SEM对样品进行了结构表征, 并采用阻抗分析仪测量了薄膜的介电常数, 纳米硬度计测量薄膜的杨氏模量和硬度. 与传统的高温焙烧方法相比, 紫外光解法处理条件温和, 同时省时、省能、操作简易. 相似文献
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Fabrications and characterizations of high performance 1.2 kV,3.3 kV,and 5.0 kV class 4H–SiC power SBDs
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In this paper, 1.2 kV, 3.3 kV, and 5.0 kV class 4H–SiC power Schottky barrier diodes(SBDs)are fabricated with three N-type drift layer thickness values of 10 μm, 30 μm, and 50 μm, respectively. The avalanche breakdown capabilities,static and transient characteristics of the fabricated devices are measured in detail and compared with the theoretical predictions. It is found that the experimental results match well with the theoretical calculation results and are very close to the 4H–SiC theoretical limit line. The best achieved breakdown voltages(BVs) of the diodes on the 10 μm, 30 μm, and 50 μm epilayers are 1400 V, 3320 V, and 5200 V, respectively. Differential specific-on resistances(R_(on-sp)) are 2.1 m?·cm~2,7.34m?·cm~2, and 30.3 m?·cm~2, respectively. 相似文献
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类异戊二烯酚类化合物 Corylifolin(1) 是由 Snapka 等[1]于1998年从豆科植物 Psoralea Corylifolia 中分离得到的天然产物, 其结构已由波谱学和化学方法确定, 一同分离的还有化合物 Bakuchio(2). 植物 Psoralea Corylifolia 是广泛分布于中国和印度的豆科类植物, 药理实验研究表明, 此植物对 Streptococcus 和 Paramecium 等具有很高的活性, 因此它作为民间药材被长期使用. 化合物 Corylifolin(1) 和 Bakuchio(2) 具有类似的化学结构及生物活性, 是有效的DNA复制聚合酶的抑制剂, 而且具有抗肿瘤和抗诱变作用. 相似文献
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4H-SiC Schottky barrier diodes with semi-insulating polycrystalline silicon field plate termination
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Based on the theoretical analysis of the 4H-SiC Schottky-barrier diodes(SBDs) with field plate termination, 4H-SiC SBD with semi-insulating polycrystalline silicon(SIPOS) FP termination has been fabricated. The relative dielectric constant of the SIPOS dielectric first used in 4H-SiC devices is 10.4, which is much higher than that of the SiO2dielectric,leading to benefitting the performance of devices. The breakdown voltage of the fabricated SBD could reach 1200 V at leakage current 20 μA, about 70% of the theoretical breakdown voltage. Meanwhile, both of the simulation and experimental results show that the length of the SIPOS FP termination is an important factor for structure design. 相似文献
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利用Sentaurus搭建了碳化硅漂移阶跃恢复二极管(DSRD)与雪崩整形二极管(DAS)全电路仿真模型,研究了碳化硅等离子体器件在脉冲锐化方面的能力,并且通过器件内部等离子浓度分布解释了这两种器件实现脉冲锐化的机制。借助碳化硅DSRD可以将峰值超过千伏的电压脉冲的前沿缩短到300 ps;碳化硅DSRD与DAS的组合可以输出脉冲前沿在35 ps、峰值超过2 kV的电压脉冲。仿真与实验发现当触发脉冲与碳化硅DAS匹配时,可以实现快速开启后快速关断,得益于碳化硅DAS这种神奇现象,可以将峰值在两千伏以上脉冲的半高宽缩小到百皮秒量级;通过频谱分析发现脉冲经过DAS整形后,其最高幅值-30 dB对应的频谱带宽扩大了37倍,达到7.4 GHz。 相似文献