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1.
本文针对GaAs/Ge太阳电池,利用位移损伤剂量法研究了其在轨服役条件下的性能退化行为.首先在地面模拟辐照环境中,试验获得了在不同能量的电子和质子辐照下的电池性能随辐照注量的退化行为.基于上述实验结果以及计算获得的带电粒子在电池中的非电离能量损失(NIEL)获得了不同能量电子辐照位移损伤的等效指数n为1.7,电子损伤剂量转化为质子损伤剂量等效系数为5.2,并进一步建立了电池性能随位移损伤剂量的退化方程.利用该方法对国产GaAs/Ge太阳电池在500,22000和36000 km轨道带电粒子辐 关键词: GaAs/Ge太阳电池 辐照损伤 带电粒子 位移损伤剂量  相似文献   
2.
利用光学显微镜和X射线衍射技术,分析了非晶态Se和掺杂Sb的Se薄膜的晶化特性.Se薄膜由于保存周期不同以及Sb掺杂到Se中的Sb含量的多少都会影响Se的晶化特性;在热处理下薄膜的晶化呈现各向异性的择优生长.分析了晶化过程中微裂纹的产生,晶界的产生和体积收缩.薄膜与衬底之间的热应力是产生微裂纹的主要因素.  相似文献   
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