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1.
对于四个Mo 1-xSi x薄膜样品进行了超导转变温度、临界温度附近的临界磁场以及在4.2K下的临界电流的测试,并且测量了室温(300K)及低温(8K)下的电阻率,结果显示四个样品具有非晶的特征,其中Mo 78Si 22薄膜样品有较好的非晶特性。
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2.
我们研制了一台吸气溅射装置,使用普通真空系统.文中介绍了吸气溅射原理及装置的结构.并用溅射Nb_3Ge的条件,制备了Nb膜,超导转变温度为8.95K. 相似文献
3.
对于四个Mo_(1-x)Si_x薄膜样品进行了超导转变温度、临界温度附近的临界磁场以及在4.2K下的临界电流的测试,并且测量了室温(300K)及低温(8K)下的电阻率,结果显示四个样品具有非晶的特征,其中Mo_(78)Si_(22)薄膜样品有较好的非晶特性。 相似文献
4.
在4.2—273K温区内,0—18kbar压强下,测量了CeBi单晶的电阻率。实验表明,尼尔温度随压强增大而增大,且温度T>T N后,磁性电阻率ρ s与lnΤ成正比。计及p-f作用,我们用Anderson模型计算了与压强有关的CeBi磁性电阻率,并将计算结果与实验比较。结果表明,4f电子能级与费密能级的距离随压强增大而减小,压强增大导致p-f作用的增强。
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5.
用直流吸气溅射法在液氮冷底板上分别制备了Mo_xGe_(1-x),Mo_ySi_(1-x)的薄膜。其形成非晶的成份分别为Ge>22at%,Si>18at%。超导转变临界温度T_c在非晶状态下随着Ge,Si的含量增加而下降(约6—3K)。非晶Mo_(77)Ge_(23)膜的晶化温度为780℃,而非晶Mo_(78)Si_(22)膜的晶化温度为480℃。 相似文献
6.
用直流吸气溅射法在液氮冷底板上分别制备了Mo xGe 1-x,Mo xSi 1-x的薄膜。其形成非晶的成份分别为Ge>22at%,Si>18at%。超导转变临界温度T c在非晶状态下随着Ge,Si的含量增加而下降(约6—3K)。非晶Mo 77Ge 23膜的晶化温度为780℃,而非晶Mo 78Si 22膜的晶化温度为480℃。
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