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基于直流—射频电极结构对离子的径向和轴向聚焦理论,以离子检测仪器中质子转移反应质谱检测技术为例,对该新型电极结构展开理论和实验研究,相比于静电场电极结构,直流—射频聚焦电场电极结构的性能更好,丙酮产物离子强度提高了近10倍,初步的实验结果表明该结构对于提高离子相对透过率具有较大潜力,同时,该新型直流—射频聚焦电场电极结构对于提高其他类型的离子检测仪器性能将具有一定的应用潜力和参考价值. 相似文献
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结合Simon 7.0程序编程,将最新而又最经典的离子与分子碰撞模型即Monte Carlo算法应用于离子运动轨迹模拟.本文以离子检测分析技术中的代表质子转移反应质谱(PTR-MS)检测技术为例,结合PTR-MS实验条件,实现了在1.0 Torr和298.15 K条件下对处于均匀电场漂移管中反应离子H3O+的运动轨迹模拟.根据离子运动轨迹模拟和统计分析,为离子检测分析技术性能优化进而提高离子的透过率提供理论支撑和参考,该理论模拟方法在提高离子检测分析技术及其同类检测仪器灵敏度方面显示出一定的应用优势和潜力. 相似文献
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全硅光子晶体波导中二次谐波产生及影响因素 总被引:1,自引:0,他引:1
硅材料是半导体微细加工工艺中的常用材料,属于m3m对称点群,通常无法实现二次谐波产生,导致光子系统芯片中的非线性组件集成困难.提出一种在硅材料中可以实现二次谐波产生光子晶体波导结构.首先给出该波导结构的组成及其基本原理,然后讨论谐波产生的计算模型和计算方法,最后给出针对10.6 μm波长而设计的全硅二维光子晶体波导具体结构参数,以有限时域差分算法为基础,计算分析了谐波产生情况.研究结果表明:该结构利用光子晶体带隙边缘效应增强了硅材料的电四极极化强度从而实现二次谐波产生,在完全相位匹配条件下,当抽运波强度为1.3 MW/mm2时,转换效率为0.2%.最后,对影响谐波转换效率的因素进行了初步分析. 相似文献
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An improved design for Al Ga N solar-blind avalanche photodiodes with enhanced avalanche ionization
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To enhance the avalanche ionization, we designed a new separate absorption and multiplication AlGaN solarblind avalanche photodiode(APD) by using a high/low-Al-content AlGaN heterostructure as the multiplication region instead of the conventional AlGaN homogeneous layer. The calculated results show that the designed APD with Al_(0.3)Ga_(0.7)N/Al_(0.45)Ga_(0.55)N heterostructure multiplication region exhibits a 60% higher gain than the conventional APD and a smaller avalanche breakdown voltage due to the use of the low-Al-content Al_(0.3)Ga_(0.7)N which has about a six times higher hole ionization coefficient than the high-Al-content Al_(0.45)Ga_(0.55)N. Meanwhile, the designed APD still remains a good solar-blind characteristic by introducing a quarter-wave AlGaN/AlN distributed Bragg reflectors structure at the bottom of the device. 相似文献
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