广西龙胜珠心算选手的足迹

在广西龙胜少数民族自治县有一所龙胜小学,现在是中国珠算心算协会、中央教育科学研究所“珠心算教育具有开发儿童智力潜能作用研究”课题的实验学校。这所学校,从上个世纪九十年代初开始,就在推广三算结合教学的基础上,用珠心算的方法培养出一批又一批广西的优秀珠心算选手,为广西的珠心算发展作出了积极的贡献。这些选手的成绩,摆到全国并不算突出,但在广西她(他)们则都是佼佼者。现在,这些选手有的已经进入社会,有的正在大学里读书,她(他)们从少数民族一个山区县里走出来,有的到了北京,有的到了上海,有的到了南宁,有的到了桂林。有人问:她(他)们这一路走过来,走得还好吗?就笔者的了解,龙胜县的那批选手,现在在北京的有4人,在上海有1人,在南宁有2人,在桂林有2人。在北京的是:石庆师,她九十年代初开始学习珠心算,曾在广西小学生珠心算比赛中获得过三连冠,中央电视台“第二起跑线”在广西录制节目时,被邀请到录制现场作珠心算表演,博得一阵又一阵的热烈掌声和喝彩声,1995年随广西珠算代表团出访日本,进行珠心算表演和交流,得到日本珠算专家的赞赏,2001年以高分考入中央财经大学,就读注册会计师专业,毕业时各科成绩优秀,入选可自动留京就业的范围,...     

Effect of Mg-Preflow for p-AlGaN Electron Blocking Layer on the Electroluminescence of Green LEDs with V-Shaped Pits

In GaN-based green light-emitting diodes(LEDs) with and without Mg-preflow before the growth of p-Al GaN electron blocking layer(EBL) are investigated experimentally.A higher Mg doping concentration is achieved in the EBL after Mg-preflow treatment,effectively alleviating the commonly observed efficiency collapse and electrons overflowing at cryogenic temperatures.However,unexpected decline in quantum efficiency is observed after Mg-preflow treatment at room temperature.Our conclusions are drawn such that the efficiency decline is probably the result of different emission positions.Higher Mg doping concentration in the EBL after Mg-preflow treatment will make it easier for a hole to be injected into multiple quantum wells with emission closer to pGaN side through the(8-plane rather than the V-shape pits,which is not favorable to luminous efficiency due to the preferred occurrence of accumulated strain relaxation and structural defects in upper QWs closer to p-GaN.Within this framework,apparently disparate experimental observations regarding electroluminescence properties,in this work,are well reconciled.     

Z箍缩驱动聚变-裂变混合堆氚燃料循环系统氚盘存量与氚自持初步分析

为研究氚自持条件,建立了Z-FFR氚分析模型,基于理论方程和氚平均滞留时间方法进行计算,得到稳态运行时排灰气处理系统、氚增殖提取系统、同位素分离系统、水去氚化系统的氚质量流分别为52.30,25.40,81.30,3.60 g/day,对应的氚盘存量为52.30,25.40,8.13,1.80 g。同时以氚质量流推导出氚自持判断条件,分析了设计参数能够满足氚自持要求,同时获得了燃烧效率、氚增殖率、提取效率与氚自持的互补关系,三者作为关键参数相互依存,于临界值、设计值、理想值之间分析了氚的自持情况。     

InxGa1-xN薄膜的弯曲因子及斯托克斯移动研究

采用常压金属有机化学汽相沉积(MOCVD)技术以Al2O3为衬底在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜。以卢瑟福背散射／沟道技术、光透射谱、光致发光光谱对InxGa1-xN／GaN／AI2O3样品进行了测试。研究了InxGa1-xN薄膜的弯曲因子及斯托克斯移动。结果表明，采用光透射谱、光致发光光谱得到的InxGa1-xN薄膜的禁带宽度一致，InxGa1-xN薄膜并不存在斯托克斯移动。InxGa1-xN薄膜的In组分分别为0．04，0．06，0．24，0．26时，其弯曲因子分别为3．40,2．36，1．82，3．70。随In组分变化。InxGa1-xN薄膜的弯曲因子的变化并没有一定的规律，表明InxGa1-xN薄膜的禁带宽度随In组分的变化关系复杂。     

珠心算教练职业化的深远意义

在珠算基础上形成的珠心算文化,是珠算文化一次质的飞跃,它在原有的计算功能外挖掘出了珠算很多潜在的启智功能增强记忆能力、理解能力和逻辑思维能力等功能。正是由于这     

AlN插入层对硅衬底GaN薄膜生长的影响

利用金属有机化合物气相外延沉积技术在2inch(5.08cm)Si(111)图形衬底上生长了GaN外延薄膜,在Al组分渐变AlGaN缓冲层与GaN成核层之间引入了AlN插入层,研究了AlN插入层对GaN薄膜生长的影响。结果表明,随着AlN插入层厚度的增加,GaN外延膜(002)面与(102)面X射线衍射摇摆曲线半峰全宽明显变小,晶体质量变好,同时外延膜在放置过程中所产生的裂纹密度逐渐减小直至不产生裂纹。原因在于AlN插入层的厚度对GaN成核层的生长模式有明显影响,较厚的AlN插入层使GaN成核层倾向于岛状生长,造成后续生长的nGaN外延膜具有更多的侧向外延成分,从而降低了GaN外延膜中的位错密度,减少了GaN外延膜中的残余张应力。同时还提出了一种利用荧光显微镜观察黄带发光形貌来表征GaN成核层形貌和生长模式的新方法。     

从学习珠心算起步 到入选硕博连读——山娃吴宇恩踏进清华园的历程

吴宇恩是广西龙胜民族自治县一个侗族男孩,居住在世界闻名的龙脊梯田的山脚下。1993年,吴宇恩进入龙胜小学读书,选读了珠心算实验班,开始学习珠心算。在学习中,由于他进取心强,学习成绩优秀,很快就     

交替三线性分解算法与反相高效液相-二极管阵列检测方法相结合同时测定苯二酚的位置异构体

 利用交替三线性分解算法与反相高效液相 二极管阵列检测 (RP HPLC DAD)相结合 ,在洗脱时间为1 0 86min～ 1 399min(间隔 1 / 1 50min)、紫外吸收波长为 2 68nm～ 2 98nm(间隔 1nm)时对苯二酚位置异构体的重叠及光谱体系进行了分辨研究。分辨结果与实际结果一致。同时测定了水溶液中共存的邻苯二酚、间苯二酚和对苯二酚的含量 ,回收率分别为 (1 0 0 1± 1 0 ) % ,(99 4± 1 4) % ,(1 0 0 5± 1 7) %。研究结果表明 :该方法定量快速准确 ,实验操作步骤简单 ,解决了在干扰物存在条件下三者很难同时分辨的问题。     

人尿中氟含量的测定及其意义

采用氟离子选择电子法对右江民族医学院28名≥19岁的成年健康学生(其中男生18名,女生10名)早上和晚上尿样分别进行了氟含量测定。结果表明,早上和晚上尿样尿氟含量有一定差异,而早上尿样中的氟含量小于晚上尿样。可认为从早到晚的时段内,人体从食物、水源或其它途径摄入了氟,从而出现了差异;样品氟含量的最大值0.959 mg/L在百色地区正常人尿氟百分位数法(P25～P97.5)正常值范围0.589～2.268 mg/L内,可认为右江民族医学院的人员未出现氟中毒,处于一个氟安全的地区。     

利用普通玻璃堆片作减光板拍全息图

利用普通玻璃堆片作减光板拍全息图莫秀珍，陈劲民，郑碧华（湛江水产学院５２４０２５）近年来，由于全息照相的效果不够理想，有些工科院校把它从物理实验课中取消了．现介绍我实验室利用普通玻璃堆片简单改进的全息照相技术的实验，改进后学生容易掌握，拍摄出的全息图...