Effects of BaCu（B2O5 ） addition on sintering temperature and microwave dielectric properties of Ba5Nb4O15–BaWO4 ceramics

The effects of BaCu(B2O5)(BCB) addition on the microstructure, phase formation, and microwave dielectric properties of Ba5Nb4O15–BaWO4ceramic are investigated. As a sintering aid, BaCu(B2O5) ceramic could effectively lower the sintering temperature of Ba5Nb4O15–BaWO4ceramic from 1100?C to 950?C due to the liquid-phase effect. Meanwhile,BaCu(B2O5) addition effectively improves the densification of Ba5Nb4O15–BaWO4ceramic and significantly influences the microwave dielectric properties. X-ray diffraction analysis reveals that Ba5Nb4O15and BaWO4coexist with no crystal phase of BaCu(B2O5) in the sintered ceramics. The Ba5Nb4O15–BaWO4ceramics with 1.0 wt% BaCu(B2O5) sintered at 950?C for 2 h presents good microwave dielectric properties of εr = 19.0, high Q × f of 33802 GHz and low τfof2.5 ppm/?C.     

四氧化三钴催化分解工业废气中的一氧化二氮

介绍Co3O4催化分解工业废气中N2O的基础知识,涉及N2O分解的主要化学原理,以及Co3O4催化剂的结构特点、催化机理和改进,供一线高中化学教师用于教学实践。     

加强物理实验改革培养学生创新能力

本文阐述了物理实验在培养创新能力方面的重要作用,针对物理实验存在的问题提出了改革措施,从而达到培养学生创新能力的目的。     

2-(芘-1-基)-1,8-萘啶的合成、理论计算及超快三阶非线性光学响应

合成了一个供体-受体(D-A)型含芘萘啶衍生物2-(芘-1-基)-1,8-萘啶(PN)。 通过核磁共振波谱(NMR)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、液-质联用仪(LC-MS)表征了其结构。 通过电子光谱和Z-扫描技术方法分别研究了化合物PN的线性光学性质和三阶非线性光学吸收,采用综合热分析方法测定了它的热稳定性。 结果表明,在532 nm、180 fs条件下,PN的三阶非线性吸收行为为反饱和吸收,其吸收系数为β=9.0×10^-14 m/W,显示出超快三阶非线性光学响应。 运用密度泛函理论方法计算了分子轨道能量、极化率和超极化率,结果表明电子转移能够在分子内部进行。 2-(芘-1-基)-1,8-萘啶的紫外光谱在450 nm以上无吸收,在非线性光学吸收、激光防护、吸收型光开关或双稳器件等方面可作备选材料。     

基于二茂铁的两个查尔酮衍生物的合成及超快三阶非线性光学响应

二茂铁是合成新颖有机功能材料的基本单元之一。 本文设计并合成了两个基于二茂铁的同分异构查尔酮衍生物:1-二茂铁基-3-(噻吩-2-基)丙烯酮(a)和1-二茂铁基-3-(噻吩-3-基)丙烯酮(b)。 采用超快激光Z-扫描技术(脉宽180 fs,波长532 nm)测定了化合物a和b的三阶非线性光学性质。 结果表明,化合物a吸收系数β=-2.1×10^-12 m/W,折射率n₂=1.9×10^-19 m²/W,分子超极化率γ=5.37×10^-32 esu;化合物b:β=-1.2×10^-13 m/W,n₂=2.0×10^-19 m²/W,γ=4.48×10^-32 esu。 说明在飞秒激光激发下,电荷转移能够在化合物a和b分子内部快速进行,二者均具有优异的超快三阶非线性光学响应。 在B3LYP/6-311+G(d,p)理论水平下,计算了化合物a和b分子轨道能量、极化率和各基团在前线分子轨道中的占有率。 理论计算结果显示,二茂铁基团在化合物a和b前线分子轨道中占有率分别为97%和98%,对两化合物的非线性光学性能起主导作用。     

Large Magnetoresistance Based on Double Spin Filter Tunnel Barriers

We propose and theoretically analyse a double magnetic tunnel device that takes advantages of the spin filter effect. Two magnetic tunnel barriers are formed by different spin filters which have different barrier heights. The magnetoresistance of the device is low （high） when the magnetic moments of the two spin filters are parallel （antiparallel）. We present a theoretical calculation of the magnetoresistance based on electric tunnel effect. In addition, the effect of the difference barrier heights and exchange splitting energies between the two spin filters are also analysed in detail. The numerical results show that the spin filter in this configuration gives a magnetoresistance larger than that with standard magnetic tunnel junctions.     

镍基甲烷化催化剂中的助剂作用 Ⅱ重稀土氧化物添加剂的结构效应和电子效应

应用ＢＥＴ、气相色谱、红外光谱、竞争加氢反应和ＸＰＳ等方法,在以前工作的基础上继续考察了Ｙ２Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３、Ｅｕ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、Ｔｂ４Ｏ７、Ｄｙ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、Ｔｍ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３作为添加剂,对镍在γ－Ａｌ２Ｏ３表面的分散度、甲烷化活性、ＣＯ在镍上的吸附态及表面镍原子的电子状态的影响．结果表明,稀土氧化物添加剂不仅明显地提高了金属镍的分散度和甲烷化活性,还直接地影响表面镍原子的电子状态．对不同稀土氧化物,这些效应各异．作者认为,利用稀土氧化物添加剂调节表面镍原子的电子状态,可能成为改进甲烷化催化剂活性的一个有效途径．     

Strong and broadband terahertz absorber using Si02-based metamaterial structure

We design and experimentally demonstrate a broadband metamaterial absorber in the terahertz （THz） band based on a periodic array of aluminum （A1） squares with two different sizes. A thin silicon dioxide （SiO2） film rather than a conventional polyimide （PI） layer is used as a dielectric spacer to separate A1 squares from the platinum （Pt） ground plane in our design, which significantly improves the design precision and the feasibility of the device fabrication. The combination of different sizes of AI squares gives rise to an absorption bandwidth of over 210 GHz with an absorption of over 90%. Our results also show that our device is almost polarization-insensitive. It works very well for all azimuthal angles with an absorption of beyond 80%.     

硅基二氧化钒相变薄膜电学特性研究

本文以原子层沉积超薄氧化铝(Al₂ O₃)为过渡层, 采用射频反应磁控溅射法在硅半导体基片上制备了颗粒致密并具有(011)择优取向的二氧化钒(VO₂)薄膜. 该薄膜具有显著的绝缘体–金属相变特性, 相变电阻变化超过3 个数量级, 热滞回线宽度约为6℃. 基于VO₂薄膜构建了平面二端器件并测试了不同温度下I-V曲线, 观测到超过2个数量级的电流跃迁幅度, 显示了优越的电致相变特性. 室温下电致相变阈值电压为8.6 V, 电致相变弛豫电压宽度约0.1 V. 随着温度升高到60℃, 其电致相变所需要的阈值电压减小到2.7 V. 本实验制备的VO₂薄膜在光电存储、开关、太赫兹调控器件中具有广泛的应用价值.     

1-(5-氯甲基-2-羟基-4-烷氧基)苯乙酮的合成

以2,4-二羟基苯乙酮为起始原料,经羟基烷基化和氯甲基化反应合成了3个新型查尔酮类衍生物的关键中间体——1-(5-氯甲基-2-羟基-4-烷氧基)苯乙酮,其结构经1H NMR和ESI-MS确证。