带空腔爆轰产物驱动准等熵加载技术与反积分数据处理技术

化爆加载技术常用来研究材料在冲击作用下的动态响应特性。通过在炸药与样品之间留一段空 隙的办法,实现爆轰产物驱动的无冲击加载飞片技术用于研究材料在弱冲击或无冲击加载条件下的动态响 应特性,利用二维程序模拟了整个实验过程,提出了装药直径对实验结果的影响。并利用反积分数据处理技 术对实验数据进行了处理与分析。     

基于BF3正比管的宽量程脉冲中子探测技术

介绍了一种基于BF3正比计数管的宽量程脉冲中子探测技术。该技术采用多通道、组合式的BF3管阵列中子探测器组,以适应产额变化范围较宽的脉冲中子测试场合,并同时兼顾测量下限。基于该技术研制了一套BF3阵列中子探测系统并应用于脉冲中子源的测试,实验结果表明,该系统的脉冲中子测量范围可达5个数量级(56~8106),测量下限低、输出信号清晰,证明了该技术的可行性和有效性。     

小型中子探测器的抗振结构

抗振型的闪烁探测器集双套独立的探测系统于一体，具备独立的自检功能，能够广泛应用于环境条件恶劣、小型化要求高的中子测量研究。     

高效率BF3正比探测器阵列探测中子技术

针对中子产额范围宽、下限低，研制4个具有高中子探测效率的正比探测器，由置于慢化体内的BF3正比计数管阵列和电压前置放大器组成。每个探测器内共包括12支BF3正比计数管，并根据不同的数目分为两组。在图l所示的实验中，利用这种多管的正比探测器，可以对产额变化范围宽、下限低的不同脉冲中子源产额进行测量。     

双通道闪烁探测器探测脉冲中子技术

主要介绍了一种用于进行脉冲中子波形和产额测量的闪烁探测器，它由双套独立探测系统组成，可靠性高，在没有脉冲中子的场合，为了检验探测器各通道是否正常工作，在电子线路部分增加了脉冲产生单元，通过脉冲产生单元的定时脉冲控制发光二极管周期性发光，这样可以实时监控探测器工作是否正常，并且监控信号不影响正常的中子脉冲波形。