排序方式: 共有9条查询结果,搜索用时 197 毫秒
1
1.
2.
Fe-MIL-101催化Paal-Knorr反应合成吡咯衍生物 总被引:1,自引:0,他引:1
以Fe-MIL-101为非均相催化剂,通过多种伯胺与2,5-二甲氧基四氢呋喃进行Paal-Knorr反应,高效合成相应的吡咯衍生物.在Fe-MIL-101结构中,裸露的Fe(Ⅲ)配位点作为催化活性中心参与吡咯衍生物的催化合成反应.同时Fe-MIL-101的高比表面积和大的孔尺寸确保了底物分子与催化活性中心的充分接触以及产物的自由脱离,从而促进了催化反应的快速进行.Fe-MIL-101在催化反应过程中具有很好的稳定性,多次循环使用后仍能表现出良好的催化性能.此外,该催化剂在伯胺(包括脂肪胺、芳香胺)与2,5-己二酮的Paal-Knorr缩合反应中也具有优异的催化性能. 相似文献
3.
分析方法标准验证实验得到的分析方法基本性能参数重复性限和再现性限是日常检测工作质控规范重要依据。以环境监测领域土壤、沉积物及固废样品中无机元素分析为例,考察了已颁布执行的标准文本和在生态环境部官网公开征求意见的分析方法标准中重复性限。将重复性限转化为相对偏差后,与日常检测工作中质控限值进行了比较。根据目前现行有效的平行双样测定结果相对偏差限值,方法验证数据有多大比例符合质控要求?根据方法验证结果,平行双样测定结果相对偏差限值有无改进可能?从上述两个角度进行了研究。研究结果表明:土壤、沉积物、固体废弃物中无机元素的测定,不同文献来源相同分析方法标准和不同分析方法标准,其重复性限转化得到的平行测定相对偏差合格率存在明显区别;用平行测定相对偏差限值可以快速判断标准文本中的重复性限是否合理,审核方法验证数据质量是否满足要求。基于已有标准文本方法验证数据,探讨了修改平行测定结果相对偏差限值可行性。 相似文献
4.
元素薄膜标样是X射线荧光光谱(XRF)法用于大气颗粒物样品中无机元素测定的必备实验用品。开发满足计量溯源要求的国产元素薄膜标样对于建立大气颗粒物元素XRF分析校准曲线,降低基层实验室用户采购薄膜标样费用具有重要意义。同时采用基于薄膜酸消解的等离子体发射光谱(ICPOES)和基于直接测定的波长色散X射线荧光光谱(WD-XRF)两种方法,提出了对元素薄膜样品进行定值的技术路线,并以稀土元素薄膜样品的定值为例进行了验证。用镀膜固体粉末材料探讨了酸消解体系和ICP-OES分析方法的可行性,实验结果表明,稀土元素回收率93.3%~99.7%。基于酸消解-ICPOES测定值建立的WD-XRF校准曲线具有良好线性关系,各元素相关系数0.9978~1.000。实现了WD-XRF测定结果应满足计量溯源要求的预期目的。基于同一批元素镀膜样品X射线荧光强度数据精密度,对镀膜工艺一致性进行了考察,相对标准偏差0.16%~1.5%。测量结果不确定度的评估数据表明,对于低含量元素薄膜样品,ICP-OES拟合模型误差是测量结果不确定度的主要分量。实验结果为后续开展元素薄膜标样协作定值奠定了基础。 相似文献
5.
Transport mechanism of reverse surface leakage current in AlGaN/GaN high-electron mobility transistor with SiN passivation
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理 B》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
The transport mechanism of reverse surface leakage current in the AlGaN/GaN high-electron mobility transistor(HEMT) becomes one of the most important reliability issues with the downscaling of feature size.In this paper,the research results show that the reverse surface leakage current in AlGaN/GaN HEMT with SiN passivation increases with the enhancement of temperature in the range from 298 K to 423 K.Three possible transport mechanisms are proposed and examined to explain the generation of reverse surface leakage current.By comparing the experimental data with the numerical transport models,it is found that neither Fowler-Nordheim tunneling nor Frenkel-Poole emission can describe the transport of reverse surface leakage current.However,good agreement is found between the experimental data and the two-dimensional variable range hopping(2D-VRH) model.Therefore,it is concluded that the reverse surface leakage current is dominated by the electron hopping through the surface states at the barrier layer.Moreover,the activation energy of surface leakage current is extracted,which is around 0.083 eV.Finally,the SiN passivated HEMT with a high Al composition and a thin AlGaN barrier layer is also studied.It is observed that 2D-VRH still dominates the reverse surface leakage current and the activation energy is around 0.10 eV,which demonstrates that the alteration of the AlGaN barrier layer does not affect the transport mechanism of reverse surface leakage current in this paper. 相似文献
6.
Degradation mechanism of enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs using fluorine ion implantation under the on-state gate overdrive stress
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理 B》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
The degradation mechanism of enhancement-mode Al Ga N/Ga N high electron mobility transistors(HEMTs)fabricated by fluorine plasma ion implantation technology is one major concern of HEMT’s reliability.It is observed that the threshold voltage shows a significant negative shift during the typical long-term on-state gate overdrive stress.The degradation does not originate from the presence of as-grown traps in the Al Ga N barrier layer or the generated traps during fluorine ion implantation process.By comparing the relationships between the shift of threshold voltage and the cumulative injected electrons under different stress conditions,a good agreement is observed.It provides direct experimental evidence to support the impact ionization physical model,in which the degradation of E-mode HEMTs under gate overdrive stress can be explained by the ionization of fluorine ions in the Al Ga N barrier layer by electrons injected from 2DEG channel.Furthermore,our results show that there are few new traps generated in the Al Ga N barrier layer during the gate overdrive stress,and the ionized fluorine ions cannot recapture the electrons. 相似文献
7.
固定源废气中二噁英及多氯联苯、溴代阻燃剂和溴代二噁英的分析 总被引:1,自引:0,他引:1
建立了同时分离分析固定源废气中二噁英(PCDD/Fs)、二噁英类多氯联苯(dl-PCBs)、溴代阻燃剂(BFRs)和溴代二噁英(PBDD/Fs)的方法。废气样品经甲苯索氏提取,硫酸处理和多层硅胶柱净化后,应用活性炭分散硅胶翻转淋洗技术分离4类目标物。气相色谱使用耐高温薄膜短色谱柱配合高压进样,高分辨质谱使用低能量电离,一次性测定高/低溴代化合物。方法检出限分别为:PCDD/Fs 0.081~1.2 pg、dl-PCBs0.10~0.32 pg、多溴联苯醚(PBDEs)0.14~12 pg、新型BFRs 0.26~16 pg、四~七溴代PBDD/Fs 0.44~3.6 pg、八溴代PBDD/Fs(OBDD/F)8.2~12 pg。废气空白基质加标回收率(RSD)分别为:PCDD/Fs 88%~115%(2.9%~6.1%)、dl-PCBs 84%~118%(3.2%~10%)、PBDEs 71%~135%(2.1%~18%)、新型BFRs 71%~114%(2.9%~7.4%)、四~七溴代PBDD/Fs 83%~127%(5.2%~10%)、OBDD/F 52%~149%(23%~24%)。将本方法用于废气样品分析,所有质量控制指标均符合相关标准规定。 相似文献
8.
研究了一种适用于二噁英生物检测法的样品前处理仪器(SPD-600),考察了不同条件下的净化效果和内标回收率,建立了一种新型酶联免疫系统(DXS-600)测定二噁英的方法。研究表明,SPD-600在60℃加热的条件下净化效果最好,杂质基本被去除,内标回收率与人工制备的多层硅胶柱净化的回收率基本相当;DXS-600采用平衡除外的方法,避免了常规酶联免疫方法中的竞争步骤,消除了实验过程中的人为不确定因素,从而提高了灵敏度和稳定性;采用SPD-600净化、DXS-600测定的组合分析了21个废弃物焚烧废气样品,并与高分辨气相色谱-高分辨质谱的测定结果进行比较。结果表明,两种方法测定结果之间具有很高的相关性(r2=0.9858)。SPD-600净化结合DXS-600测定方法可作为二噁英的快速筛查方法。 相似文献
9.
分层角谱算法可用于三维物体全息图的生成计算,在计算时间、占用内存和算法复杂度方面占有优势.本文基于强度图和深度图的分层角谱算法,对多波长采样进行分析,有效抑制混频现象,实现了真彩色物体的计算全息图生成.针对分层角谱算法重建时产生的散斑噪声问题,引入Gerchberg-Saxton(GS)算法,提出基于分层角谱算法的GS算法.通过计算比较引入GS算法前后再现像的均方根误差和峰值信噪比,证明该算法可有效地抑制散斑噪声,提高全息图的再现像质量,更适用于复杂形貌三维物体的计算. 相似文献
1