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详细研究了磁场退火对于具有不同线间距(30~60 nm)和不同线直径(22~46 nm)的Fe48Co52合金纳米线阵列性能的影响.研究表明,退火过程中沿纳米线方向施加3kOe的磁场对于阵列的最佳退火温度和晶体结构以及线直径较小或线间距较大阵列的磁性能均无明显影响.但是对于具有较大线直径或较小线间距的阵列,这种磁场退火处理限制了其易磁化方向的转动并明显提高了其矫顽力与矩形度.认为不同阵列内部有效各向异性场强度之间所存在的差异是导致磁场退火后阵列磁性能出现不同变化的主要原因. 相似文献
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运用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上旋涂制备了2-2型CoFe2O4/Pb(Zr0.53Ti0.47)O3磁电复合薄膜.制备的磁电薄膜结构为基片/PZT/CFO/PZT*/CFO/PZT,通过改变中间层PZT*溶胶的浓度,改变磁性层间距以及静磁耦合的大小.SEM结果表明,复合薄膜结构致密,呈现出界面清晰平整的多层结构.制备的复合薄膜具有较好的铁电与铁磁性能.实验还研究了静磁耦合对薄膜磁电性能的影响,结果表明,随着复合薄膜磁性层间距的减小,静磁耦合效应的增加,磁电电压系数有逐渐增大的趋势. 相似文献
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