纳米半导体中多重激子效应研究进展

多重激子效应是指纳米半导体吸收一个高能光子后产生两个甚至多个电子-空穴对的物理过程,不仅具有重要的基础研究意义,而且在新型太阳电池及高性能光电子器件领域具有潜在应用价值.综述了多重激子效应的发展历程;总结了纳米半导体的材料组分、体系结构甚至表面质量对多重激子效应的影响;介绍了多重激子效应的实验测试分析方法以及解释多重激子效应的理论方法;概括了目前多重激子效应在器件中的应用并对其应用前景进行展望.     

关于磁聚焦实验中荧光屏上显示的线段与所加电场之间的关系

磁聚焦法是测定电子荷质比的一种有效方法,本文在此实验的基础上,研究了实验测量过程中荧光屏上显示扫描的线段随所加的电场的变化关系,证明了忽略电场的边缘效应时,电压偏转板并不改变电子束在荧光屏上的显示形状,但是增加了线段的长度,并且线段与水平轴的夹角也有所变化.