WO3表面的氧缺陷

用不同能量的Ar⁺和H⁺轰击WO₃表面,观察到W_4f峰的位移和加宽。通过谱分解处理得到相应于W_4f电子的W⁶⁺,W⁴⁺和W⁰3个不同的双峰。用表面产生氧缺陷的机理解释了还原过程。UPS谱显示出氧缺陷的存在增加了靠近费密能级处的态密度。H₂O的吸附结果说明WO₃表面的活性与W^{5+< 关键词：}     

WO_3表面的氧缺陷

用不同能量的Ar~ 和H~ 轰击WO_3表面,观察到W_(4f)峰的位移和加宽。通过谱分解处理得到相应于W_(4f)电子的W~(6 ),W~(4 )和W~03个不同的双峰。用表面产生氧缺陷的机理解释了还原过程。UPS谱显示出氧缺陷的存在增加了靠近费密能级处的态密度。H_2O的吸附结果说明WO_3表面的活性与W~(5 )有关。