全文获取类型
收费全文 | 51篇 |
免费 | 89篇 |
国内免费 | 18篇 |
专业分类
化学 | 4篇 |
晶体学 | 18篇 |
力学 | 11篇 |
综合类 | 1篇 |
数学 | 6篇 |
物理学 | 118篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2021年 | 1篇 |
2018年 | 3篇 |
2016年 | 3篇 |
2015年 | 4篇 |
2014年 | 5篇 |
2013年 | 3篇 |
2012年 | 9篇 |
2011年 | 4篇 |
2010年 | 4篇 |
2009年 | 4篇 |
2008年 | 6篇 |
2007年 | 4篇 |
2006年 | 7篇 |
2005年 | 8篇 |
2004年 | 6篇 |
2003年 | 1篇 |
2002年 | 4篇 |
2001年 | 6篇 |
2000年 | 11篇 |
1999年 | 5篇 |
1998年 | 8篇 |
1997年 | 11篇 |
1996年 | 6篇 |
1995年 | 4篇 |
1994年 | 3篇 |
1993年 | 3篇 |
1992年 | 5篇 |
1990年 | 4篇 |
1989年 | 2篇 |
1988年 | 1篇 |
1987年 | 1篇 |
1986年 | 4篇 |
1985年 | 1篇 |
1984年 | 1篇 |
1983年 | 3篇 |
1980年 | 1篇 |
1979年 | 1篇 |
排序方式: 共有158条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
2.
3.
4.
5.
介绍了非晶半导体薄膜的结构特点和在光电器件上的独特性能,给出了薄膜器件的发展水平和制膜技术、制膜设备的研究现状。 相似文献
6.
在200 keV重离子加速器上,用120—360 keV的H,N,Ar和Mo离子注入C60薄膜.对注入后薄膜的拉曼谱进行了分析.结果表明,不同离子注入C60薄膜后,C60的1469 cm-1特征峰随注入剂量的增加均呈指数式下降,同时在1300—1700 cm-1范围出现非晶碳峰,并逐渐增强,最终完全非晶化.而且1469 cm-1拉曼峰的强度及C60薄膜完全非晶化所对应的剂量与注入离子的种类和能量有关.进一步的分析表明,C60分子的损伤主要是由注入离子的核能量转移所造成,与电子能量转移无关.H离子注入C60薄膜后,1469 cm-1处特征拉曼峰向短波方向非对称展宽,这可能是注入的H离子通过电子能量转移使C60分子发生聚合的结果.
关键词: 相似文献
7.
8.
9.
文章回顾了a—Si:H薄膜的发展历程,并介绍了其近10年的研究状况、为提高a—Si:H薄膜的沉积速度,还重点介绍了一种新的微波电子回旋共振等离子体CVD(MWECR—CVD)技术,该技术的特点是:不含电极,可避免电极溅射造成的污染;等离子区离子密度高,对硅烷能高度分解,从而可显著提高薄膜生长速率;改变磁场位形和结构,可改变等离子体分布及轰击基片离子的能量,文章还分析了其制备a—Si:H薄膜存在的问题,提出了今后的研究方向。 相似文献
10.