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The behaviors of lead zirconate titanate (PZT) deposited as the dielectric for high-voltage devices are investigated experimentally and theoretically. The devices demonstrate not only high breakdown voltages above 350 V, but also excellent memory behaviors. A drain current-gate voltage (ID-VG) memory window of about 2.2 V is obtained at the sweep voltages of ±10 V for the 350-V laterally diffused metal oxide semiconductor (LDMOS). The retention time of about 270 s is recorded for the LDMOS through a controlled ID-VG measurement. The LDMOS with memory behaviors has potential to be applied in future power conversion circuits to boost the performance of the energy conversion system. 相似文献
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精氨酸的溶剂浮选分离技术及其分离机制 总被引:1,自引:0,他引:1
以表面活性剂十二烷基苯磺酸为捕收剂(DBSA),二(2-乙基己基)磷酸酯(P204)为萃取剂,正庚烷为有机溶剂,采用溶剂浮选法对水溶液中精氨酸进行分离富集,并与气浮络合萃取法、泡沫浮选法和溶剂萃取法进行了比较.结果表明,在常温下,0.09 g/L精氨酸水溶液250 mL、初始pH 7.0,DBSA浓度0.15 g/L,正庚烷体积10 mL, P204体积4.5 mL,气体流量200 mL/min,溶剂浮选法分离水溶液中精氨酸的富集比为16.2,回收率为97.2%.溶剂浮选法分离精氨酸的动力学实验结果表明,精氨酸的溶剂浮选过程阶段性明显,大致可分为3个阶段,第一阶段和第二阶段都符合一级动力学方程,第三阶段符合零级动力学方程,探索了溶剂浮选法分离精氨酸的分离机制. 相似文献
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采用液滴形状分析仪, 在线跟踪了液滴在图案化基底上的挥发过程. 结果表明, 与平滑基底结果相比, 图案化基底上的挥发过程明显不同. 首先, 接触角减小; 另外, 由于发生了Cassie态到Wenzel态转变, 所得接触直径在减小过程中产生了一个突然变大的阶段. 在该挥发过程中, 突起部分的面积分数扮演了十分重要的角色. 相似文献
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In this paper the influence of s-quasinormally embedded and c-supplemented subgroups on the p-nilpotency of finite groups is investigate and some recent results are generalized. 相似文献
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在商用0.35 μm互补金属氧化物半导体工艺上制备了两种栅氧化层厚度(tox)的条形栅、环形栅和半环形栅N沟道金属氧化物半导体 (n-channel metal oxide semiconductor, 简记为NMOS) 晶体管, 并进行了2000 Gy(Si)的总剂量辐射效应实验. 实验结果显示, 栅氧厚度对阈值电压漂移的影响大于栅氧厚度的3次方. 对于tox为11 nm的低压NMOS晶体管, 通过环形栅或半环形栅的加固方式能将其抗总剂量辐射能力从300 Gy(Si)提高到2000 Gy(Si)以上; 而对于tox为26 nm的高压NMOS晶体管, 通过环栅或半环栅的加固方式, 则只能在低于1000 Gy(Si)的总剂量下, 一定程度地抑制截止漏电流的增加. 作为两种不同的版图加固方式, 环形栅和半环形栅对同一tox的NMOS器件加固效果类似, 环形栅的加固效果略优于半环形栅. 对于上述实验结果, 进行了理论分析并阐释了产生这些现象的原因.
关键词:
环形栅
半环形栅
总剂量
辐射效应 相似文献
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根据发射极周长与面积比(P/A)最小的原则,优化设计了双极n-p-n晶体管的尺寸参数,采用20 V双极型工艺设计制造了三种抗辐射加固的n-p-n晶体管.测试表明,在总剂量为1 kGy的辐照条件下,所制备的发射结加固型n-p-n晶体管和含有重掺杂基区环的n-p-n晶体管,辐照后的电流增益比常规结构的n-p-n晶体管高10%-15%;而两种加固措施都有的n-p-n晶体管,辐照后的电流增益比常规结构的n-p-n晶体管高15%-20%.
关键词:
双极n-p-n晶体管
辐射效应
电流增益
抗辐射 相似文献
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应用偏靶射频磁控溅射方法在SrTiO3(001)单晶衬底上制备了三重价态(Mn3+, Mn4+, Mn5+)锰氧化物薄膜La1-x-yCaxKyMnO3. 这种薄膜具有钙钛矿结构, A位拥有La3+, Ca2+和K+三种离子, 对应的B位为Mn3+, Mn4+和Mn5+三重价态离子共存. 通过18 kW高能X射线衍射仪和D8 X射线面探衍射仪检测证实制备的薄膜为取向多晶薄膜. 原子力扫描图像显示薄膜表面平整, 且随薄膜厚度增加表面平整度起伏增大. 表面光电压测试显示, 该薄膜具有明显的光生电压信号. 相似文献