排序方式: 共有17条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
众所熟知的一些结型发光器件是PN,MIS及MS结等,这些器件的发光光谱都是由半导体材料性质决定的,所以一种器件一般说只能发出一种颜色的光谱。对于直接跃迁型Ⅲ—Ⅴ族发光材料,例如GaAs0.6P0.4的PN结发光二极管,发光光谱取决于禁带宽度,所以只能发出红光;而直接带的Ⅱ-Ⅵ族材料,例如ZnSe:Mn肖特基二极管在反向偏压下的发光则利用杂质中心Mn的发光,只能得到黄色。目前人们已成功地制得了红色GaAsP,GaP、GaAlA以及黄色和绿色的GaP发光二极管。但这类器件的光谱并不随外加电压改变。 相似文献
2.
近几年来,为了使小尺寸的发光二极管(LED)片子变成较大的发光段,在LED工业上已出现一种扩展段式显示器。这种显示器的重要特征是:(1)段的均匀性,(2)视角,(3)光输出,和(4)价钱。本文描述了一种新型设计,它在上述四方面都表现了显著的优点。 这种设计特别注意了光散射问题。LED片放在光学腔的底部,并用环氧树脂灌满使它浸渍住。环氧树脂中掺入玻璃屑,后者可成为光的散射中心。由于环氧树脂的折射率和玻璃屑的折射率不同,因而发生散射。光产生于LED片,再被散射,而呈现在画有段条的腔顶表面。(图1) 相似文献
3.
4.
5.
本文利用瞬态电容潜(DLTS)法测量了不同效率的GaAsxPxLED的深能级浓度、深度、俘获截面.发现效率高LED仅有一个明显的电子深能级△En=0.15eV和一个很弱的△En=0.33eV电子深能级,它们的俘获截面都小于1.5×10-14cm2,总的能级浓度小,约为1.4×1015cm-3.效率差的两只LED一般除有两个以上的电子能级还有两个空穴能级,它们的俘获截面甚至大到2.2×10-12和1.3×10-13cm2;从DLTS图还可以发现谱峰高而宽,说明杂质浓度大,总浓度分别为6.3×1015cm-3和3.4×1015cm-3.讨论了深能级对发光效率的影响. 相似文献
6.
7.
8.
用液相外延法可以制备出绿色场致发光磷化镓二极管。在密闭坩埚中装入Ga-GaP熔体,再将它放入垂直炉中。将GaP衬底片插入温度保持在约1110—1140℃的熔体中。从S、Se和Te中选择一种杂质加入熔体,然后缓慢地把温度冷到约1070—1100℃,就可形成n—型GaP薄层。此时用受主杂质(例如Zn或Cd)加入熔体进行反型掺杂,而制得p—型层。然后把衬底拉出熔体使之冷却到周围的温度。为降低串联电阻,对片子的衬底这边可进行磨薄,然后就可制备场致发光二极管。切割或解理下来的小片,分别在它的p侧和n侧制上Au—Zn和Au—Sn合金点。 用上述方法制备的绿色发光二极管的效率约为2.7×10~(-4),如把反反射环氧树脂帽加于二极管则效率可提高二倍以上。二极管可用作平面指示器。 相似文献
9.
非掺杂半绝缘LECGaAs的光电流谱 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了非掺杂半绝缘LECGaAs的非本征室温(300K)光电流谱,在0.4-0.709eV范围发现了一个光响应响应宽带M1。M1带在0.46、0.49、0.56、0.65和0.69eV处出现五个峰,其中0.46、0.49、0.56和0.69eV峰的起始阈值分别为0.44、0.47、0.51和0.67eV。本文讨论了M1带的起源,提出了0.44、0.47和0.51eV光电阈值与铜受主,EL3和氧施主 相似文献
10.
为生长特别适于制备发光二极管用的GaP化合物半导体晶体,发展了一种所谓合成熔质扩散法(SSD)。长成的晶体呈园柱状,由相当大的颗粒组成。生长速率受磷在镓熔液的扩散过程限制。从生长速率可以求得扩散系数,在1100℃是8×10~(-5)cm~2·S~(-1),而激活能是0.65ev。蹄或硫施主杂质从3×10~(17)到4×10~(18)cm~(-3)可重复地掺入,在1150℃的分凝系数分别是0.038和1.0。生长晶体的质量特别好,用改进了的腐蚀液腐蚀晶体几乎看不到碟形坑。仅用单层单次液相外延过程,再通过气相扩散锌就可重复地制出高效率的红色发光结。还研制了一种双层单次外延法,叫作“液相外延生长结”法,并用来制成高效率的绿色LED。用SSD片制备的LED的效率,红光高达7.4%,而绿光高达0.15%。 相似文献