不同偏压下Zn1-xCdxSe-ZnSe超晶格室温电调制反射谱研究

首次研究了在室温和不同直流偏压下Zn_1-xCd_xSe-ZnSe超晶格结构的电调制反射谱(ER)的变化。当器件处于弱场范围时,随着电场的增加,ER谱的信号幅度增加,而线型不变;在强场区,随着电场的增加,ER谱的线型发生变化,激子跃迁能量红移,继续增加反向偏压出现来自于1c-2hh的禁戒跃迁,且其强度随反向偏压的增加迅速增加。不同偏压下组合超晶格结构的ER谱研究表明,势垒高度较低的超晶格结构中的激子较易受到电场的调制。