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基于PIN二极管电热自洽耦合模型,构建了两级PIN限幅器高功率微波(HPM)效应电路模型。根据模拟模型设计加工了两级限幅器实验样品,限幅器输入、输出特性注入实验数据与模拟计算结果基本一致,验证了多级限幅器模型的有效性,表明该多级PIN限幅器模型能够应用于HPM效应模拟。针对不同HPM波形参数进行了HPM效应模拟,计算结果表明:随着注入功率的增大,脉宽增宽,前级厚I层PIN二极管结温升比后级薄I层PIN二极管结温升要高,因此厚I层PIN二极管更易受到损伤;而频率和前沿参数对结温升影响较小。 相似文献
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低温热液条件下有机质富集金机理的实验研究 总被引:13,自引:0,他引:13
本文在低温(40—200℃)热液条件下,对不同成熟度的有机质与含金溶液[AuCl_4~-,Au(HS)_2~-]之间的相互作用进行了实验研究。研究观察到在低温热液体系中有机质直接参与了从含金溶液中将游离的金离子固定下来的作用。有机质从溶液中富集金可认为有两种不同性质的作用:第一种是在早期沉积成岩作用阶段(T<120°)时,有机质与含金热液主要发生凝聚作用,使溶液中的金由离子状态从无机相转化到有机相中;第二种是在变生或变质作用阶段(T>120℃)时,有机质与含金热液主要发生氧化还原沉淀作用,还原作用的结果导致元素金的沉淀,同时有机质被氧化、分解。 相似文献
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采用原位共生长化学气相沉积法,以Co3O4、MoO3、Se粉末为前驱物,710℃下在SiO2衬底上生长掺钴MoSe2纳米薄片,分析讨论氢气含量对其生长及调节机理的影响.表面形貌分析表明,氢气的引入促进了成核所需的氧硒金属化合物以及横向生长中需要的CoMoSe化合物分子的生成;AFM(Atomic Force Microscope)结果表明氢气有利于生长单层二维超薄掺钴MoSe2.随着Co3O4前驱物用量的增加,样品的拉曼和PL(Photoluminescence)谱图分别表现出红移和蓝移现象,带隙实现从1.52—1.57 eV的调制.XPS(X-ray photoelectron spectroscopy)结果分析得到Co的元素组分比为4.4%.通过SQUID-VSM(Superconducting QUantum Interference Device)和器件电学测试分析了样品的磁电特性,结果表明Co掺入后MoSe2由抗磁性变为软磁性;背栅FETs器件的阈值电压比纯MoSe2向正向偏移5 V且关态电流更低;为超薄二维材料磁电特性研究及应用拓展提供了基础探索. 相似文献
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先采用滴涂法制备了石墨烯修饰电极(GR/GCE),然后采用电化学方法将纳米金沉积于石墨烯表面制备了纳米金/石墨烯复合材料修饰电极(Au NPs/GR/GCE)。研究了异烟肼(isoniazid,INZ)在该Au NPs/GR/GCE上的电化学行为。结果表明,异烟肼在该修饰电极上有良好的电化学响应。在优化条件下,线性扫描伏安法测定异烟肼的线性范围为1.0×10-7~1.0×10-4mol/L,检出限为5.0×10-8mol/L(S/N=3)。用该法测定了异烟肼注射液中异烟肼的含量,结果令人满意。 相似文献
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为实现大动态范围信号的有效接收,设计了一种三路并行的信号处理架构,分别设置为低、中、高三种不同增益,以实现不同水深下不同幅度的回波信号处理.同时利用数据拼接方法以及一种基于五角函数和高斯函数组合的拟合算法综合处理三路数据并进行水深评估.基于Wa-LID回波仿真模型得到回波数据,验证多路并行处理架构的实用性.仿真结果表明,本文提出的多通道处理技术可测信号的动态范围达86.9dB,对应的最大测深为26m,测量偏差为1.6cm至4.7cm,标准差小于1.1cm.可有效应用于机载激光雷达测深系统. 相似文献
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