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通过把Zn扩散到液相处延生长的GaP n—p—n结构上,制成了场致发光磷化镓p—n—p—n开关(dynistors)和可控整流器(闸流晶体管),这种器件能在0≤T≤500℃的温度范围内工作。发现磷化镓晶体闸流管的正向和反向闭锁电压分别高达280伏和80伏。这类晶体闸流管通过加上小于5安/厘米~2的门电流可开关到低胆态,并在正向电压2.2伏时,呈现维持电流密度约为15安/厘米~2。发现在室温下GaP开关(dynistors)正向闭锁电压高达380伏,而在415℃时则为310伏。当正向偏置到低阻态时,这类器件则成为高亮度发光体,室温下发射光谱在绿色光谱区域。 相似文献
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本文评论了研究半导体材料特性的光学技术的新进展。由于发光对检测杂质和不完整性具有独特的灵敏度,特别对目前最了解的GaAs与GaP化合物更是如此,所以介绍着重在发光方面。讨论的例子包括光学测定机械应力、位错效应、掺杂不均匀性和补偿率、载流子弛予和电子漂移迁移率、以及能量传递过程。 相似文献
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