硅基支撑系统的光刻工艺

为提高硅基支持系统制备中光刻过程的线宽精度,用正交试验分析了前烘、曝光、显影主要步骤中一些主要参数对制备结果的影响,得到了它们的影响程度的规律以及较优的参数组合。在此基础上设计和训练了合适的前向误差反向传播神经网络,对主要工艺参数进行了进一步的分析、预测和优选,并用实验加以验证。最终得到在胶厚约1.55 m时,前烘温度100 ℃,时间90 s; 曝光时间5 s; 显影温度15 ℃,时间90 s时,光刻后图形的线宽偏差最小,达到了0.3 m以下。     

提高OLED光导出效率的异形金属光栅的设计与优化

提出一种用于有机电致发光器件(OLED)的双面对称矩形金属光栅电极,采用时域有限差分方法(FDTD)模拟研究了OLED中表面等离子体激元的激发和耦合传输的物理规律和物理机制,详细计算和分析了该光栅结构的周期、槽宽、光栅高度、槽底厚度、入射光的入射角与电极透射效率的关系,并由此优化了结构的几何参数,使金属电极的光导出效率相对于通常的金属银层电极增强了1.77倍,为基于表面等离子体激元的高效光导出器件的优化设计提供了理论依据。     

惯性约束聚变靶中硅支撑冷却臂的制备

论述了基于反应离子深刻蚀技术加工惯性约束聚变（ICF）靶的硅支撑冷却臂。利用扫描电子显微镜、白光干涉仪和视觉显微系统等对所制备的硅支撑冷却臂的形貌、侧壁陡直度和卡爪径向形变量等参数进行了表征分析。分析结果表明，硅支撑冷却臂的侧壁陡直度大于88，卡爪径向形变量大于20 m，符合靶的设计要求。