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采用溶剂热法制备出铜铟铝硒Cu(In,Al)Se2 (CIASe)粉末,然后滴涂铜铟铝硒CIASe浆料获得前驱体薄膜,最后通过硒化/硫化过程制备出铜铟铝硒CIASe和铜铟铝硒硫CIASeS薄膜.通过XRD、SEM、XRF及光吸收等表征,发现所制备的薄膜为单相的黄铜矿结构,具有(112)择优取向.同时,在使用硫元素替代硒之后,薄膜的XRD主峰向高的2θ角度漂移,多孔薄膜也变得更加致密.薄膜带隙值也增加到更为合适的范围,从1.21 eV增加到1.33 eV,这也说明了硫化过程有利于提高CIASeS薄膜的质量. 相似文献
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用两步固相反应法合成了p型Ba填充方钴矿化合物Ba0.3FeCo3S b12,并采用放电等离子烧结法(SPS)制备了Ba0.3FeCo3Sb12/多壁碳纳米管复合材料. 研究了Ba0.3FeCo3Sb12/多壁碳纳米管复合 材料的结构及多壁碳纳米管对 其热电性能的影响规律:SEM分析表明多壁碳纳米管比较均匀地分布在Ba0.3 FeCo3S b12基体中;随着碳纳米管添加量的增加,Ba0.3FeCo3Sb12/多壁碳 纳米管复合材料的电导率下降、塞贝克系数略微下降、晶格热导率大幅度降低,当碳纳米管 含量为5%时其晶格热导率最小;当碳纳米管的含量为3%时,本研究得到的Ba0.3 sup>FeCo3Sb12/碳纳米管复合材料的最大ZT值达078. 相似文献
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用两步固相反应法合成了P型Ba填充方钴矿化合物Ba0.3FeCo3Sb12,并采用放电等离子烧结法(SPS)制备了Ba0.3FeCo3Sb12/多壁碳纳米管复合材料.研究了Ba0.3FeCo3Sb12/多壁碳纳米管复合材料的结构及多壁碳纳米管对其热电性能的影响规律:SEM分析表明多壁碳纳米管比较均匀地分布在Ba0.3FeCo3Sb12基体中;随着碳纳米管添加量的增加,Ba0.3FeCo3Sb12/多壁碳纳米管复合材料的电导率下降、塞贝克系数略微下降、晶格热导率大幅度降低,当碳纳米管含量为5%时其晶格热导率最小;当碳纳米管的含量为3%时,本研究得到的Ba0.3FeCo3Sb12/碳纳米管复合材料的最大ZT值达0.78. 相似文献
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系统地研究了离子半径不同的Ba,Ce,Y作为填充原子及Fe,M作为置换原子对填充化合物RyMxCo4-xSb12晶格热导率的影响规律.结果表明在skutterudite结构的Sb组成的20面体空洞中,Ba,Ce,Y的填充原子能显著降低其晶格热导率,且晶格热导率降低幅度按Ba,Ce,Y离子半径减小的顺序而增大.Sb组成的20面体空洞部分被Ba,Ce填充时,晶格热导率最小,填充原子的扰动对声子的散射作用最强.在Co位置上Fe和M的置换,能显著地降低RyMxC2o4-xSb12化合物的晶格热导率,与Fe比,M对晶格热导率的影响更强. 相似文献
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采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在20、200、400和600 oC下制备出了高质量的ZnS薄膜.XRD分析结果表明,PLD法制备的ZnS多晶薄膜为立方闪锌矿结构而并非Murali报道的六方的纤锌矿结构,并沿(111)方向择优取向生长.Raman光谱进一步证明了在350 cm-1出现了立方相ZnS薄膜的A1振动模式.通过ZnS薄膜的SEM平面和断面图可观察到采用PLD技术生长出了非常密实、光滑、均匀的薄膜.PLD生长的ZnS薄膜的颗粒远小于化学浴沉积的CdS颗粒,这也是影响其电池效率的主要原因.XRF化学组成分析结果表明ZnS薄膜符合化学计量比,但略微富S.最后通过光吸收谱测得不同温度下的ZnS薄膜的光学带隙在3.2~3.7 eV,并随薄膜沉积温度的升高,光学带隙反而增加.采用宽带隙的ZnS缓冲层材料,与CdS(2.4 eV)相比,可以增加电池蓝波段的响应. 相似文献
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用多步固相反应法结合熔融法合成了单相的两种原子复合填充的p型方钴矿化合物Ba mCenFeCo3Sb12.并探索了两种原子复合填充对其热电性能的影响规 律,研究结果表明在相 同填充分数时BamCenFeCo3Sb12化合物的电导率介于单原子Bam FeCo3Sb12和CenFeCo3Sb12填 充的化合物之间,随Ba,Ce填充分数的增加,电导率下降;当填充分数相同时,两种原子复 合填充化合物的晶格热导率较单一原子填充化合物的晶格热导率低.
关键词:
方钴矿
双原子填充
电导率
晶格热导率 相似文献
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