多孔硅的光生伏特效应

多孔硅(PS)的可见光致发光的发现[1],引起人们对PS的光电特性及其在光电器件上应用可能性的广泛探索.已报道用PS制成发出可见光的电致发光器件[2]及高灵敏的光探测器件[3].本文将报道PS层与金属接触,光照时能出现很强的光生伏特效应,利用这一特性有可能制成高效的光电转换器件.     

用瞬时电流谱方法检测发光二极管的缺陷中心

阻碍发光二极管材料性能改进的问题之一是缺少适宜的检测和显示无辐射缺陷中心的手段。在性能好的材料中,由于缺陷密度一般都低于10~(16)cm~3,使检测更为困难。本文将热激电流测量方法与反向复原相结合     

镓铝砷双异质结红光二极管中红外辐射起因的研究

本文研究了镓铝砷双异质结红光二极管发射光谱中的红外谱带随工作电流及温度的变化规律,并看到器件的发光效率与红外带的强度有明显的联系.通过红外带峰值位置,半值宽度、峰值位置随温度的移动及发光区深能级的测定,认为该谱带来源于衬底.由于有源区厚度的不均匀及限制作用不充分,使注入到有源区中的一部分电子能穿过限制层进入P型GaAs衬底,从而产生红外谱带.指出改善有源区厚度均匀性,增大限制层的势垒高度是降低红外辐射,提高器件发光效率的有效途径.     

高亮度GaAlAs单异质结红光二极管

本文从工业生产角度对GaAlAs单异质结红光二极管的芯片制作技术作了细致研究.设计出能同时生长多枚外延片的新结构生长舟,选择了合适的管芯参数与生长条件,制定出稳定重复的工艺流程.用本项技术制出的单异质结管芯,发光波长为660nm,平均亮度达到4.5mcd/20mA,最高亮度达6.2mcd.