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将第一性原理计算和Monte Carlo算法耦合,对共掺杂稀磁半导体进行模拟,预测其磁学性质,并与同种过渡金属原子单掺杂稀磁半导体相比较进行分析.首先用第一性原理计算掺杂原子间的磁相互作用强度,作为后面Monte Carlo模拟的输入参数;然后利用Monte Carlo方法结合海森堡自旋模型和磁相互作用强度来模拟体系热力学磁化强度和磁化率,由此得到居里温度;用同样的方法模拟掺杂磁性体系的磁滞回线.计算结果显示,对应于掺Co、Al-Co、Fe、Al-Fe的ZnO基稀磁半导体的居里温度分别为346 K、450 K、743 K、467 K,与实验值很吻合;模拟这四种掺杂情况得到的磁滞回线也很符合理论分析和实验结果,且呈现和居里温度相同的变化规律. 相似文献
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