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1
1.
RIE技术制备p—n结型GaN蓝光LEDs
章其麒
张冀
《发光学报》
1999,20(1):94-96
自从S.Nakamura等人成功地制备了GaN/GaInN/AlGaN蓝、绿光LEDs以来,GaN及其相关化合物的材料生长和器件工艺得到了广泛地研究.由于GaN材料不同于传统的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,因此其器件的加工工艺,如欧姆或肖特基接触的形成、...
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