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ICP-AES用于亚微量样品的多元素分析 总被引:4,自引:3,他引:1
本文叙述了用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)进行亚微量样品(<0.5mg)主、次成分分析的新方法。此法在样品及标准溶液中加入相同量的内标元素,即无须准确称量及准确稀释体积。对被测元素的检出限、方法的准确度与精密度、元素间相互干扰的校正等进行了实验。对钴铬薄膜和钐钴铁铜锆永磁合金样品进行了分析,并与常量样品的ICP光谱法及化学法的分析结果进行了比较。该法简便、快速,测定的准确度与精密度均比较满意。 相似文献
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“中厚”磁泡薄膜多元组份原子比的X荧光光谱非破坏测定 总被引:1,自引:0,他引:1
本文用X射线光谱绝对强度法、经验系数法和基片内标比值法测定钆镓石榴石基片上的磁膜组份:Ca、Fe、Y、Sm、Ge。厚度范围从“薄展”区扩展到了“中厚”区,结果与化学值相符,操作简便、快速且非破坏。 相似文献
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一、引言最近十几年来,能量色散x射线荧光光谱法已得到了广泛的应用,用x射线荧光光谱方法非破坏测定合金薄膜组份的工作也取得了很大的进展。本文列举的数据说明以滤纸片标样和强度比技术相结合,用能量色散谱仪对合金薄膜组份进行非破坏测定,其结果与用波长色散谱仪所获结果一致,同样能得到准确与精密的结果。 相似文献
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一、引 言 用X射线荧光光谱法测定二元合金薄膜的组分时,通常是先制备一系列不同成分的薄膜,经化学分析标定后作为标样,以此来确定标准曲线,然后对待测薄膜进行测定、比较[1,2].近年来某些作者推荐利用单组分薄膜标样的方法[3,4].这些方法不足之处在于制备薄膜标样要增加较大的工作量.用质子背散射方法来测定薄膜组分虽具有它独特的优点,但是在测定膜主成分时其准确度常常不够满意,此外,它还要与加速器联用,因此应用上也受到限制. 本文来用 L.Bergel及 F.J.Cadieu[5]推荐的利用滤纸片标样的方法,测定了非晶态钆钴合金薄膜的原子组分比. … 相似文献
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ICP-AES可变内标法用于微量、亚微量样品的分析 总被引:2,自引:2,他引:0
本文叙述了用ICP-AES可变内标法进行微量、亚微量样品主、次成分分析的新方法。此法内标选自样品本身所含的被测元素,利用被测元素与内标元素质量比与其谱线强度比之间的一组线性方程,将未知样品中由实验强度比获得的一组质量比值归一化,便可计算出各被测元素的百分含量。由于内标选自样品所含的组分,但不局限于主成分,方法灵活,操作简便,并能提高分析的精密度与准确度。此法无须准确称量样品与准确稀释试样的体积。用此法测定了微量、亚微量非晶态钕铁硼系列合金样品中的Nd、Fe、B、CD、La、Ce的含量,其结果与常量样品ICP光谱法的结果相符合。 相似文献
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非破坏测定合金薄膜组份的工作最近几年来已有人进行过研究(1—3),但这些工作均是在波长色散谱仪上进行的。本文是将强度比技术与滤纸片标样相结合,用能量色散谱仪来测定钐钴薄膜的组份。测定结果的准确度可与波长色散谱仪所得结果相比拟。由于所用能量色散谱仪具有二次靶装置,故可使用二次靶技术很方便地选定测定条件。 相似文献
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本文叙述二种用于测定沉积在钛酸锶基片上的超导薄膜组份的方法:(1)多标法,用一组纸片标准样品,解一组方程,(2)基本参数法,只需一个纸片标样.二法均简便易行,标准试样容易制作.测定时不必破坏试样.此法不但适用于钇系超导薄膜组份的测定,本法原理亦适用于铋系,铊系等其他体系的超导薄膜组份测定,并能快速地配合科研与生产. 相似文献
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