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1.
采用直流-射频等离子增强化学汽相沉积技术制备a-C∶H(N)薄膜,用X射线光电子能谱研究了混合气体中N2含量对薄膜成分与结构的影响.a-C∶H(N)薄膜中含氮量可达9.09%.对a-C∶H(N)薄膜的C1s和N1s结合能谱的分析表明a-C∶H(N)薄膜的结构是由C3N4相镶嵌在sp2键结合的CNx基体中组成.其中C3N4相中N和C原子比接近4∶3,不随薄  相似文献   
2.
用XPS研究射频-直流等离子体增强化学气相沉积获得的氮化碳薄膜的化学结构。C1s和N1s芯能级电子谱分析表明:在CN膜中含有N-sp^3和N-sp62两类化学结构,在高含N膜中还含有少量的N-sp相,且代表N-sp^3结构的原子 比为1.28,接近4:3,证明此膜中存在类β-C3N4相。  相似文献   
3.
采用直流-射频等离子增强化学汽相沉积技术制备a(C:H(N)薄膜,用X射互光电子能谱研究了混合气体中N2含量对薄膜成分与结构的影响,a-C:H(N)薄膜中含氮量可达9.09%,对a-C:H(N)薄膜的Nls结合能谱的分析表明a-C:H(N)薄膜的结构是由C3N4相镶嵌在sp^2键结合的Cx基体组成,其中C3N4相中N和C原子比接近4:3,不随薄膜中含N量改变,薄膜中C3N4相和sp^3碳伯含量随N  相似文献   
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