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Photoluminescence and persistent luminescence properties of non-doped and Ti4+-doped Mg2SnO4 phosphors
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Mg2SnO4 exhibits green photoluminescence and persistent luminescence, which originate from oxygen vacancies. When Ti4+ ions were doped, an interesting Mg2SnO4:Ti4+ phosphor with bluish white photoluminescence under ultraviolet irradiation and with green persistent luminescence was first obtained. Our investigation reveals that two emission centres exist in Mg2SnO4:Ti4+. The centres responsible for the green emission are considered to be the F centres (oxygen vacancies) and the blue centres are the TiO6 complex. Trap clusters in the band gap with different depths, such as [SnMg‥—Oi″], [SnMg‥—VO·], [SnMg‥—VO×] and MgSn″, correspond to the components at 85 ℃, 146 ℃ and 213 ℃ of the thermoluminescence curve. 相似文献
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采用高温固相法合成了发光材料Ca2GeO4 ∶Eu3+ ,并详细研究了其紫外-真空紫外发光特性. 发现并解释了Eu3+ 离子在空气中的自还原以及在不同波长激发下的颜色转换现象. Ca2GeO4 ∶Eu3+ 在163—230和301,466 nm处具有强激发带,表明Ca2GeO4 ∶Eu3+
关键词:
2GeO4 ∶Eu3+')" href="#">Ca2GeO4 ∶Eu3+
光致发光机理
空气中自还原
颜色转换 相似文献
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采用高温固相法在1300℃的温度获得了一种新型电子俘获型光存储材料 Sr2SnO4:Sb3+. 结果表明: 208 nm (Sb3+ 的1S0→1P1)和265 nm (1S0→3P1)的紫外光是Sr2SnO4:Sb3+ 的最有效信息写入光源; 其发射是覆盖400---700 nm的宽带(3P0,1→XXS0), 肉眼可看到淡黄色白光, 色坐标为(0.341, 0.395). 热释光谱研究结果表明: Sr2SnO4:Sb3+ 有分别位于39℃, 124℃, 193℃和310℃的四个热释峰. 其中, 39~℃的热释峰强度很低, 因而Sr2SnO4:Sb3+ 只具有不到140 s的微弱余辉. 而310℃的高温热释峰在空置1天后, 仍能保持约45.6%的初始强度, 并对980 nm的红外光有很好的红外上转换光激励响应. 因此, Sr2SnO4:Sb3+ 是一种具有一定的信息存储应用潜力的新型光存储发光材料. 相似文献
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采用高温固相法在1300°C的温度获得了一种新型电子俘获型光存储材料Sr2Sn04:Sb3+.结果表明:208nm(Sb3+的So-P1)和265nm(1so-3P1)的紫外光是Sr2Sn04:Sb3+的最有效信息写入光源;其发射是覆盖400-700nm的宽带(3Po1-1So),肉眼可看到淡黄色白光,色坐标为(0.341,0.395).热释光谱研究结果表明:Sr2Sn04:Sb3+有分别位于39°C,124°C,193°C和310°C的四个热释峰.其中,39°C的热释峰强度很低,因而Sr2Sn04:Sb3+只具有不到140S的微弱余辉.而310°C的高温热释峰在空置1天后,仍能保持约45.6%的初始强度,并对980nm的红外光有很好的红外上转换光激励响应.因此,Sr2Sn04:Sb3+是一种具有一定的信息存储应用潜力的新型光存储发光材料. 相似文献
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采用高温固相法获得了一种只具有 微弱余辉的新型电子俘获型光存储材料Sr2SnO4:Tb3 +, Li +. 发光性能研究结果表明: 该材料对980 nm的红外激光具有很好的上转换光激励信息读出响应, 同时292 nm紫外光为其最佳信息写入光源. 光存储性能研究结果表明: 该材料的浅陷阱较少, 因此其余辉发光很弱, 不到500 s; 另一方面, 该材料中存在大量的深蓄能陷阱. 因此, Sr2SnO4: Tb3 +, Li+是一种具有较好实际应用价值的新型电子俘获型光存储材料. 此外, 还讨论了Sr2SnO4: Tb3 +, Li+的光存储发光机理. 相似文献
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