电结晶制〔Co/Pt〕_n(n≥50)超晶格的研究

用电结晶法制取了〔Ｃｏ（２．５ｎｍ）／Ｐｔ（２．５ｎｍ）〕ｎ（ｎ＝５０）超晶格．通过控制过电位以控制多层膜的生长．应用了具有高空间实分解能的反射电子显微镜法（ＲＥＭ）直接观察Ｐｔ（Ⅲ）面上的原子台阶以及在Ｐｔ（Ⅲ）上的Ｃｏ的生长方式,发现在高过电位Ｅ＝－１．１５Ｖ（ｖｓ．Ｈｇ／Ｈｇ２ＳＯ４）下Ｃｏ以三维生长方式成膜．用小角度Ｘ射线衍射法证实在Ｐｔ（Ⅲ）面上确实形成了人工超晶格,其周期ｄ＝５ｎｍ．     

高Jc MTG-YBaCuO层状缺陷的电子显微镜研究

利用高分辨透射电子显微镜,系统研究了高J_c MTG-YBaCuO块材的结构特征和缺陷,并探讨了它们与材料临界电流密度J_c的关系。结果表明:在取向生长过程中大量出现平行ab面的高密度不均匀分布的间生型层状缺陷,可能是H平行ab面时有效的磁通钉扎中心。平行ab面的层状缺陷和{110}孪晶界一起,可导致外磁场下J_c的磁各向异性。     

融熔织构生长的YBa_2Cu_3O_(7-x)的微结构与缺陷

本文主要用 TEM 方法研究了融熔织构生长(MTG)的 YBa_2Cu_3O_(7-x)块样的微结构和缺陷.指出 MTG-YBCO 材料由平行 ab 面的片状晶体组成.在片状结构内部除了123相外,还频繁交替出现 Y_2Ba_4Cu_3O_(16)(248)和 Y_2Ba_2Cu_4O_y(224)等类型的层状堆垛缺陷.这种择优取向的片状组织和层状缺陷有利于超导电流的传输,同时对磁力线起钉扎中心的作用,是 J_c 值提高的两个结构因素.