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制备了Au-SiO2-Si结构MIS隧道发光结.测试并分析了该结的发光特性及电流-电压(I-V)特性.指出结的发光是由各膜层界面激发的表面等离极化激元(Surface Plasmon Polariton.SPP)与膜层表面粗糙度相互耦合的结果.观察到MIS结I-V特性中存在的负阻现象,采用SPP对电子的束缚模型对这一现象进行了初步分析.利用原子力显微镜(AFM)对结的表面形貌进行了观测,由此讨论了MIS隧道结的发光与电子在结内的隧穿输运特性之间的内在关系.
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多弧离子镀技术中的真空放电过程 总被引:3,自引:0,他引:3
多弧离子镀技术是基于阴极弧光放电原理的一种新型真空沉积技术,文章对该技术的特点,发展现状及其应用情况作了简单介绍,着重分析了该技术中真空弧光放电的过程并提出了放电的热-场致电子发射模型,在此基础上给出了稳定放电过程的方法。 相似文献
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在普通金属/绝缘体/金属(MIM)隧道发光结的基础上,制备了掺稀土元素Dy的MIDyM结构隧道发光结,简单介绍了该结的制备工艺,对结构的发光特性及发光过程中表面等离极经激元(SPP)的色散关系进行了讨论,对发光光谱进行了分析,阐述了稀土元素Dy对结的发光特性的影响。 相似文献
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制备了Cu-Al2O3-MgF2-Au双势垒隧道发光结,分析了结加上一定偏压后的电子隧穿过程.指出由于构成隧道结的绝缘栅薄膜的厚度及禁带宽度的不同而导致双势垒中能级产生分裂,使电子通过栅区时产生共振隧穿现象.根据这一现象,并结合结的I-V特性,对结的发光性能进行了讨论.这种结构的结与普通单势垒MIM结相比,其发光效率(10-6—10-5)提高了近一个数量级,且发光光谱的波长范围及谱峰均向短波长方向
关键词: 相似文献
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通过对真空蒸发、磁控溅射、多弧离子镀等一些典型物理气相沉积法(PVD)的介绍,阐述了它在建筑装饰材料这一新兴领域中的应用,对装饰材料常用的膜系及其制备特点作了简单介绍. 相似文献