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金属离子表面修饰对纳米ZnS:Mn2+溶胶发光性质的影响 总被引:6,自引:2,他引:4
利用胶体化学共沉淀方法制备了纳米ZnS:Mn^2 乙醇溶胶,观察到Zn^2 的引入对内部Mn^2 的^4T1→^6A1跃迁的580nm橙色发光有激活作用,而外加的Mn^2 对该橙色发光有猝灭作用。Zn^2 的吸附通过形成单层ZnS壳,减少了表面猝灭中心,从而使发光强度增加,这种表面猝灭中心最有可能是来自表面S^2-孤对电子的悬空键。Mn^2 的猝灭过程不能用纯粹动态的猝灭过程来描述,Mn^2 本身很可能就是橙光的猝灭中心。考虑到Mn^2 在颗粒表面上的按泊松分布,并假设单个Mn^2 能100%猝灭Mn^2 580nm发射,理论与实验数据很好地符合。通过对猝灭数据的拟合,估算出的颗粒尺寸小于用有效质量近似模型算得的3.1nm,分析了可能的原因。 相似文献
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Pr^3+掺杂的LaF3纳米微晶/氟氧化物玻璃陶瓷的4f5d能级光谱性质 总被引:1,自引:0,他引:1
用同步辐射的真空紫外(VUV)和紫外(UV)作为激发源研究了Pr^3 (0.1%)掺杂的LaF3纳米微晶,氟氧化物玻璃陶瓷的4f5d能级光谱性质。样品中存在两种不同的Pr^3 -LaF3微晶中的Pr^3 最低的4f5d能级在^1S0能级之上,玻璃中的却在^S0能级之下,通过VUV和UV激发光谱得出这两种Pr^3 最低的4f5d能级的位置。当用181nm光激发样品时,在发射光谱中同时观察到了微晶中Pr^3 4f^2→4f^2的窄谱带发射和玻璃中4f5d→4f^2的宽谱带发射。在20K时观察到了LaF3纳米微晶中作为Pr^3 光子级联发射(PCE)第二步的^3P0→H4的跃迁,室温下却没有观察到,文中详细讨论了产生这种现象的原因。 相似文献
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新一代白光LED照明用一种适于近紫外光激发的单一白光荧光粉 总被引:42,自引:8,他引:34
首次报道单一Sr2MgSiO5:Eu^2 材料的白光发射性质。发射光谱由两个谱带组成,分别位于470,570nm处,并具有不同的荧光寿命,归结为处于不同格位上的二价铕离子的发射,它们混合成白光。这两个发射带所对应的激发光谱均分布在250~450nm的紫外区,利用该荧光粉和具有400nm近紫外光发射的InGaN管芯制成了白光LED。正向驱动电流为20mA时,色温为5664K;发光色坐标为x=0.33,y=0.34;显色指数为85%;光强达8100cd/m^2。实验表明,器件的色坐标和显色指数等参数随正向驱动电流的变化起伏量小于5%,优于目前商用的蓝光管芯泵浦白光LED,报道的单一白光荧光粉在新一代白光LED照明领域具有广阔的应用前景。 相似文献
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纳米Y2O3:Eu3+中S6格位电荷迁移带的光学特性 总被引:3,自引:2,他引:1
在Y2O3:Eu^3 体材料和纳米材料中,观察到紫外激发下处于S6格位的Eu^3 的^5D0→^7F1发射(582nm)的强度,相对处于C2格位的^5D0→^7F0发射(580nm)的强度,随着激发波长在200—300nm紫外区由长变短而增强。这一现象说明Y2O3:Eu^3 中两种格位的电荷迁移带及基质激发的性质不同。光谱分解得出S6格位的电荷迁移带位于C2格位电荷迁移带的高能侧,Y2O3基质倾向于向S6格位进行能量传递。与体材料相比,两种格位的电荷迁移带在纳米材料中都发生红移;相对于C2格位的电荷迁移带,S6格位的电荷迁移带强度在纳米材料中比在体材料中明显降低,并对结果进行了讨论。 相似文献
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用高温固相法制备了Sr3SiO5∶Eu2 和Sr3SiO5∶Eu2 ,Dy3 荧光粉。在紫外光辐照后,Sr3SiO5∶Eu2 和Sr3SiO5∶Eu2 ,Dy3 荧光粉具有明亮的黄色长余辉,源于Eu2 的4f65d-4f7的跃迁。紫外光激发停止后,Sr3SiO5∶Eu2 的余辉时间是4 h以上。余辉衰减曲线和热释光曲线说明了引入Dy3 离子可以产生大量的深陷阱和浅陷阱。产生的深陷阱使余辉时间延长到6 h以上。由热释发光曲线,根据热释光的通用级公式拟合了陷阱深度。Sr3SiO5∶Eu2 和Sr3SiO5∶Eu2 ,Dy3 荧光粉是有应用前景的黄色长余辉材料。 相似文献
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Pr3+掺杂的LaF3纳米微晶/氟氧化物玻璃陶瓷的激光选择激发 总被引:4,自引:3,他引:4
研究了Pr^3 掺杂纳米晶/氟氧化物玻璃陶瓷的光谱性质,选择激发光谱分辨了氟氧化物玻璃陶瓷和其中的LaF3纳米微晶内的Pr^3 离了,可以看到LaF3纳米微晶/氟氧化物玻璃陶瓷体系在光谱上未表现出明显的界面效应,这对良好的发光性质可能是一种有利因素,纳光微粒小的尺寸和大表面增加了掺杂离子的局域环境的离散性,使纳米微粒中谱线的非均匀线宽比体材料中大,且随粒径减小而增加,掺杂离子在微晶中富集,或在界面附近富集,提高了微晶中或微晶内局部范围中的浓度,增加了交叉迟豫的几率,出现浓度猝灭,因此Pr^3 离子在LaF3中的富集而引起的浓度猝灭是发光能级寿命缩短的主要原因。 相似文献