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1.
不同条件下,在单晶硅基片上沉积了含氮氟化类金刚石(FN-DLC)薄膜.原子力显微(AFM)形貌显示,掺N后,薄膜变得致密均匀.傅里叶变换吸收红外光谱(FTIR)表明,随着r(r=N2/[N2+CF4+CH4])的增大薄膜中C—H键的逐渐减少,C〖FY=,1〗N和C≡N键含量逐渐增加.X射线光电子能谱(XPS)的C1s和N1s峰拟合结果发现,N掺入导致在薄膜中出现β-C3N4和a-CNx(x=1,2,3)成分.Roman散射谱的G峰向高频方向位移和峰值展宽等证明:随着r的增大,薄膜内sp2键态含量增加.
关键词:
氟化类金刚石膜
键结构
氮掺杂 相似文献
2.
在单电子紧束缚无序模型基础上,建立了一维二元关联无序体系电子跳跃输运直流电导模型,并推导了其直流电导公式,通过计算其直流电导率,探讨了格点能量无序度、非对角关联及温度、外场对体系跳跃电导的影响.计算结果表明,一维二元无序体系的直流电导率随着格点能量无序度的增大而减小;当引入非对角关联时,体系出现退局域化现象,从而使体系的直流电导率增大;温度对体系的电子输运的影响表现为体系的直流电导率随温度的升高而增大;在外加电场的调制下,体系的直流电导率在强场区随电场强度增加而增长很快,呈现出非欧姆定律特性,但在弱场区外场的作用不明显.
关键词:
二元无序体系
跳跃电导
格点能量无序度
非对角关联 相似文献
3.
不同沉积条件下,在单晶硅基底上沉积了含氮氟化类金刚石(FN-DLC)薄膜,用静滴接触角/表面张力测量仪测量了水与FN-DLC膜表面的接触角.用X射线光电子能谱、Raman光谱和傅里叶变换吸收红外光谱(FTIR)分析了薄膜的组分和结构.用原子力显微镜观测了薄膜的表面形貌.结果表明,FN-DLC薄膜疏水性能主要取决于薄膜表面的化学结构、薄膜表面极化强度的强弱、以及薄膜的表面粗糙度的大小.sp3/sp2的比值减小,CF2基团含量增加,薄膜粗糙度增加,接触角增大;反之,则接触角减小.在工艺上,沉积温度和功率的减小,气体流量比r(r=CF4/[CF4+CH4])的增加,都会使水的浸润性变差,接触角增大.
关键词:
氟化类金刚石膜
疏水性
接触角 相似文献
4.
以CF4,CH4和N2为源气体,采用射频等离子体增强化学气相沉积法,在不同射频功率下制备了含氮氟化类金刚石薄膜样品.原子力显微形貌显示,低功率下沉积样品表面致密均匀.拉曼及傅里叶变换红外光谱分析显示,随着射频功率的改变,薄膜的结构和组分也随之变化.紫外-可见光透射光谱证明薄膜具有紫外强吸收特性,通过计算得到其光学带隙在1.89—2.29 eV之间.结果表明,射频功率增加,薄膜内sp2C含量增加,或者说C=C交联相对浓度增加、F的相对浓度降低,导致薄膜内π-π*带边态密度增大,光学带隙减小.
关键词:
含氮氟化类金刚石薄膜
射频功率
光学带隙 相似文献
5.
以CF4,CH4和N2为源气体,利用射频等离子体增强化学气相沉积法,在不同功率下制备了含氮氟化类金刚石膜.用俄歇电子能谱、拉曼光谱、X射线光电子能谱和傅里叶变换红外光谱对薄膜的电子结构和化学键进行了表征,并结合高斯分峰拟合方法分析了薄膜中sp2,sp3结构比率.结果表明,制备的薄膜属于类金刚石结构,不同沉积功率下,薄膜内的sp2/sp3值在2.0—9.0之间,随着沉积功率的增加薄膜内sp2的相对含量增加.膜内主要有C—Fx(x=1,2),C—C,CC和CN等化学键.沉积功率增加,C—C基团增加,膜内F的浓度降低,C—F基团减少,薄膜的关联加强,稳定性提高. 相似文献
6.
7.
以CF4,CH4和N2为源气体,利用射频等离子体增强化学气相沉积法,在不同功率下制备了含氮氟化类金刚石膜.用俄歇电子能谱、拉曼光谱、X射线光电子能谱和傅里叶变换红外光谱对薄膜的电子结构和化学键进行了表征,并结合高斯分峰拟合方法分析了薄膜中sp2,sp3结构比率.结果表明,制备的薄膜属于类金刚石结构,不同沉积功率下,薄膜内的sp2/sp3值在2.0—9.0之间,随着沉积功率的增加薄膜内sp2的相对含量增加.膜内主要有C—Fx(x=1,2),C—C,C=C和C≡N等化学键.沉积功率增加,C—C基团增加,膜内F的浓度降低,C—F基团减少,薄膜的关联加强,稳定性提高.
关键词:
含氮氟化类金刚石膜
sp结构
化学键结构
射频功率 相似文献
8.
This paper presents a model to describe alternating current (AC) conductivity of DNA sequences, in which DNA is considered as a one-dimensional (1D) disordered system, and electrons transport via hopping between localized states. It finds that AC conductivity in DNA sequences increases as the frequency of the external electric field rises, and it takes the form of σac (ω)~ω 2\ln 2(1/ω). Also AC conductivity of DNA sequences increases with the increase of temperature, this phenomenon presents characteristics of weak temperature-dependence. Meanwhile, the AC conductivity in an off-diagonally correlated case is much larger than that in the uncorrelated case of the Anderson limit in
low temperatures, which indicates that the off-diagonal correlations in DNA sequences have a great effect on the AC conductivity, while at high temperature the off-diagonal correlations no longer play a vital role in electric transport. In addition, the proportion of nucleotide pairs p also plays an important role in AC electron
transport of DNA sequences. For p < 0.5, the conductivity of DNA sequence decreases with the increase of p, while for p ≥ 0.5, the conductivity increases with the increase of p. 相似文献
9.
10.
基于第一性原理电子结构和输运性质计算,研究了单空位缺陷对单层石墨纳米带(包括zigzag型和armchair型带)电子性质的影响.研究发现,单空位缺陷使石墨纳米带在费米面上出现一平直的缺陷态能带;单空位缺陷的引入使zigzag型半导体性的石墨纳米带变为金属性,这在能带工程中有重要的应用价值;奇数宽度的armchair型石墨纳米带表现出金属特性,有着很好的导电性能,同时,偶数宽度的armchair型石墨带虽有金属性的能带结构,但却有类似半导体的伏安特性;单空位缺陷使得奇数宽度的armchair石墨纳米带导电
关键词:
石墨纳米带
单空位缺陷
电子结构
输运性质 相似文献
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