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基于第一性原理,用密度泛函理论中的广义梯度近似方法,获得了BnNi(n≤5)小团簇在不同自旋多重度下的几何构型,确定了最低能量结构,并计算了相应的频率、平均结合能和磁性. 结果表明:BnNi(n≤5)小团簇最低能量结构的自旋多重度分别为2,1,2,1,2;Ni掺入B团簇后增大了其结合能;Ni原子磁矩和团簇总磁矩随团簇尺寸增大而呈现振荡趋势.
关键词:
nNi小团簇')" href="#">BnNi小团簇
自旋多重度
磁性 相似文献
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本文从第一性原理出发,利用密度泛函理论(DFT)计算了MgBeN(N=1—7)团簇的最低能量结构及其电子性质.计算结果表明,MgBeN(N=1—7)团簇最低能量结构的对称性与单一组分的镀团簇相比有所降低,Mg-Be最近邻原子间距和能隙随团簇尺寸的增加出现了振荡现象,从结构稳定性上来看。N=3是MgBeN(N=1—7)团簇的一个幻数。 相似文献
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第一原理计算稀磁半导体(In1-xMnx)As的晶格常数,磁性和电子结构 总被引:1,自引:1,他引:1
用紧束缚近似线性Muffin-tin轨道的方法计算了稀磁半导体(In1-xMnx)As(x=1/2,1/4和1/8)的晶格常数,磁性和电子结构.给出了Mn掺杂浓度的变化对(In1-xMnx)As的晶格常数,磁性和电子结构的影响. 相似文献
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第一性原理对Ga_nN_n(n=2~5)小团簇的结构及电子性质的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用密度泛函理论的B3LYP方法在6-31G*的水平上对GanNn(n=2~5)团簇的结构进行优化,得到了GanNn(n=2~5)团簇的最稳定结构.并对最稳定结构的电子性质、成键特性和极化率进行分析.结果表明,团簇的最稳定结构为平面结构,且存在着N2和N3单元,说明N-N键在团簇的形成过程中起着决定性的作用;能隙间隔为1.776~3.563eV,表明GanNn(n=2~5)团簇已具有了半导体的性质. 相似文献
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采用基于第一性原理的紧束缚近似线性muffin-tin轨道(TB-LMTO-ASA)的方法,在原子球近似的基础上计算了均匀掺杂的稀磁半导体(Ga1-xFex)As在各掺杂浓度下(x=1,1/2,1/4和1/8)的总能量,由能量最低原理得到其在各稳定点的晶格常数,磁性及相应态密度.计算结果表明了(Ga1-xFex)As的晶格常数随掺杂浓度的增大而减小,在各掺杂浓度下(除x=1)样品都是反铁磁态的,Fe 3d和As 4p之间杂化是引起样品电子结构和磁性变化的主要原因. 相似文献
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从第一性原理出发利用密度泛函理论(DFT)计算了LiNBe(N=1-12)团簇的基态结构及其电子性质.计算结果表明:铍掺杂锂团簇LiNBe(N=1-12)的基态结构相当于Be原子取代LiN 1主团簇基态结构中一个Li原子的位置;当团簇尺寸N≥6时,杂质原子Be被束缚在主团簇笼子内;随着团簇尺寸增大,团簇的离解能和二阶能量差分均出现了奇-偶振荡;从结构稳定性上来看,Li6Be是个幻数团簇. 相似文献