新型电子俘获型光存储材料Sr2SnO4:Sb3+的发光性能研究

采用高温固相法在1300℃的温度获得了一种新型电子俘获型光存储材料 Sr₂SnO₄:Sb³⁺. 结果表明: 208 nm (Sb³⁺ 的¹S₀→¹P₁)和265 nm (¹S₀→³P₁)的紫外光是Sr₂SnO₄:Sb³⁺ 的最有效信息写入光源; 其发射是覆盖400---700 nm的宽带(³P_0,1→^XXS₀), 肉眼可看到淡黄色白光, 色坐标为(0.341, 0.395). 热释光谱研究结果表明: Sr₂SnO₄:Sb³⁺ 有分别位于39℃, 124℃, 193℃和310℃的四个热释峰. 其中, 39~℃的热释峰强度很低, 因而Sr₂SnO₄:Sb³⁺ 只具有不到140 s的微弱余辉. 而310℃的高温热释峰在空置1天后, 仍能保持约45.6%的初始强度, 并对980 nm的红外光有很好的红外上转换光激励响应. 因此, Sr₂SnO₄:Sb³⁺ 是一种具有一定的信息存储应用潜力的新型光存储发光材料.     

新型电子俘获型光存储材料Sr2Sn04：Sb3＋的发光性能研究

采用高温固相法在1300°C的温度获得了一种新型电子俘获型光存储材料Sr2Sn04：Sb3＋．结果表明：208nm（Sb3＋的So-P1）和265nm（1so-3P1）的紫外光是Sr2Sn04：Sb3＋的最有效信息写入光源；其发射是覆盖400-700nm的宽带（3Po1-1So），肉眼可看到淡黄色白光，色坐标为（0．341，0．395）．热释光谱研究结果表明：Sr2Sn04：Sb3＋有分别位于39°C，124°C，193°C和310°C的四个热释峰．其中，39°C的热释峰强度很低，因而Sr2Sn04：Sb3＋只具有不到140S的微弱余辉．而310°C的高温热释峰在空置1天后，仍能保持约45．6％的初始强度，并对980nm的红外光有很好的红外上转换光激励响应．因此，Sr2Sn04：Sb3＋是一种具有一定的信息存储应用潜力的新型光存储发光材料．